[實用新型]具有對位標記的半導體器件以及顯示裝置有效
| 申請號: | 201220547425.0 | 申請日: | 2012-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN203205414U | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 楊俊平;張大鵬 | 申請(專利權)人: | 天鈺科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/544 | 分類號: | H01L23/544 |
| 代理公司: | 深圳市鼎言知識產權代理有限公司 44311 | 代理人: | 徐麗昕 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 對位 標記 半導體器件 以及 顯示裝置 | ||
1.一種半導體器件,其包括:
半導體襯底;及
對位標記,該對位標記設置在該半導體襯底上,其特征在于:該對位標記包括:
第一層狀結構,該第一層狀結構設置在該半導體襯底上,該第一層狀結構包括間隔設置的多個第一圖案;及
第二層狀結構,該第二層狀結構設置在該第一層狀結構上,該第二層狀結構包括一第二圖案;
其中,該多個第一圖案及該第二圖案均為非透明圖案,該多個第一圖案圍繞該第二圖案設置。
2.如權利要求1所述的半導體器件,其特征在于:該半導體器件上設有預設區,每一預設區中對應設置該對位標記,定義該對位標記對應該第二圖案所在的區域為第一區域,該預設區內除該第一區域的外的區域則為第二區域,該第一區域的亮度小于該第二區域的亮度,以增加該對位標記的第一區域與第二區域之間的亮度差異。
3.如權利要求1所述的半導體器件,其特征在于:該第一層狀結構中進一步包括對應該第二圖案設置的多個間隔分布的第一圖案,且對應該第二圖案設置的多個第一圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第一圖案彼此間隔分布。
4.如權利要求3所述的半導體器件,其特征在于:對應該第二圖案設置的多個第一圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第一圖案在該第一層狀結構中均勻分布。
5.如權利要求2所述的半導體器件,其特征在于:該對位標記進一步包括第三層狀結構,該第三層狀結構沿該半導體襯底厚度方向,設置在該第一層狀結構與該第二層狀結構之間,該第三層狀結構包括間隔設置的多個第三圖案,該多個第三圖案為非透明圖案,且該多個第三圖案位于該第二區域內并圍繞該第二圖案設置,該多個第三圖案與該多個第一圖案相互配合,以增加該對位標記的第一區域與第二區域的亮度差異。
6.如權利要求5所述的半導體器件,其特征在于:每一第一圖案與至少一第三圖案部分重疊。
7.如權利要求5所述的半導體器件,其特征在于:該多個第一圖案與該多個第三圖案錯開設置。
8.如權利要求6所述的半導體器件,其特征在于:該第三層狀結構中進一步包括對應該第二圖案設置的多個間隔分布的第三圖案,且對應該第二圖案設置的多個第三圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第三圖案彼此間隔分布。
9.如權利要求8所述的半導體器件,其特征在于:該第一層狀結構中進一步包括對應該第二圖案設置的多個間隔分布的第一圖案,且對應該第二圖案設置的多個第一圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第一圖案彼此間隔分布。
10.如權利要求9所述的半導體器件,其特征在于:對應該第二圖案設置的每一第一圖案與至少一第三圖案部分重疊。
11.如權利要求10所述的半導體器件,其特征在于:對應該第二圖案設置的多個第三圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第三圖案在該第三層狀結構中均勻分布。
12.如權利要求7所述的半導體器件,其特征在于:該第三層狀結構中進一步包括對應該第二圖案設置的多個間隔分布的第三圖案,且對應該第二圖案設置的多個第三圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第三圖案彼此間隔分布。
13.如權利要求12所述的半導體器件,其特征在于:該第一層狀結構中進一步包括對應該第二圖案設置的多個間隔分布的第一圖案,且對應該第二圖案設置的多個第一圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第一圖案彼此間隔分布。
14.如權利要求13所述的半導體器件,其特征在于:對應該第二圖案設置的每一第一圖案與至少一第三圖案部分重疊。
15.如權利要求14所述的半導體器件,其特征在于:對應該第二圖案設置的多個第三圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第三圖案在該第三層狀結構中均勻分布。
16.一種顯示裝置,該顯示裝置包括:
透明基板;及
半導體器件,該半導體器件壓合在該透明基板上,其特征在于:該半導體器件為上述權利要求1-15中任意一項所述的半導體器件。
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