[實用新型]一種基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板有效
| 申請號： | 201220547268.3 | 申請日： | 2012-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN202918581U | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發明（設計）人： | 錢濤 | 申請（專利權）人： | 星弧涂層科技（蘇州工業園區）有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/02 | 分類號： | H05K1/02;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人： | 陸明耀;陳忠輝 |
| 地址： | 215022 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 dlc 薄膜 涂層 陶瓷 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板，其特征在于：包括陶瓷基板（1），和依次沉積在所述陶瓷基板（1）表面上通過PVD技術制備的用于絕緣導熱的DLC復合涂層（2）、以及用于導電的銅箔（4）。
2.根據權利要求1所述的一種基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板，其特征在于：在所述DLC復合涂層（2）和所述銅箔（4）之間還設有包括Ti涂層或Cr涂層或Ni涂層在內的金屬過渡層（3）。
3.根據權利要求2所述的一種基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板，其特征在于：所述金屬過渡層（3）的厚度為0.5um～1.5um。
4.根據權利要求1所述的一種基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板，其特征在于：所述DLC復合涂層（2）包括DLC涂層、和起過渡作用的Si涂層。
5.根據權利要求4所述的一種基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板，其特征在于：所述DLC涂層的厚度為2.0um～2.5um，所述Si涂層的厚度為250nm～300nm。
6.根據權利要求1所述的一種基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板，其特征在于：所述銅箔（4）的厚度為30um～70um。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于星弧涂層科技（蘇州工業園區）有限公司，未經星弧涂層科技（蘇州工業園區）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220547268.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
