[實用新型]聚合物鍍石墨結構

有效

• 申請號: 201220546334.5
• 申請日: 2012-10-23
• 公開（公告）號: CN202895835U
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 鄧聯文;徐麗梅
• 申請（專利權）人: 昆山漢品電子有限公司
• 主分類號: B32B27/06
• 分類號: B32B27/06;B32B9/04;C23C14/06
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 李金萬

技術領域

本實用新型涉及一種聚合物鍍石墨結構，屬于石墨材料技術領域。?

背景技術

隨著現代化科技的發展，尤其是電子工業和信息技術的飛速發展，對具有導電性能的高分子材料的需求與日俱增，而復合型導電聚合物是指以高分子聚合物作為集體，加入相當數量的導電物質復合而成，兼具有高分子材料的加工性與聚合物材料的導電性，能在較大范圍內調節電學和力學性能，而石墨以其具有良好的潤滑性、耐磨性被作為理想的填充材料。然而石墨本身易碎，同時縱向傳熱性能較差。?

發明內容

本實用新型提出了一種聚合物鍍石墨結構，用以解決石墨易碎，縱向傳熱性差的問題。?

為實現這一目的，本實用新型所采用的結構是：一種聚合物鍍石墨結構，包括石墨層和聚合物層，石墨層通過真空鍍設于聚合物層表面。?

所述聚合物層為聚酯薄膜的層體或聚酰亞胺的層體或聚碳酸酯的層體或聚乙烯的層體。?

所述聚合物層的厚度為0.05μm-2μm。?

所述石墨層的厚度大于或等于0.01mm。?

其有益效果是：聚合物箔層可有效得改良石墨易碎、縱向傳熱性能差的問題，同時，石墨層通過真空鍍設于聚合物層表面，大大減少了化學電鍍造成的?工業污染。?

附圖說明

本實用新型將通過例子并參照附圖的方式說明，其中：?

圖1是本實用新型剖視結構圖。?

具體實施方式

本說明書中公開的所有特征，或公開的所有方法或過程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以以任何方式組合。?

本說明書（包括任何附加權利要求、摘要和附圖）中公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換。即，除非特別敘述，每個特征只是一系列等效或類似特征中的一個例子而已。?

如圖1所示，本實用新型提出了一種聚合物鍍石墨結構，包括石墨層2和聚合物層1，石墨層2的厚度大于或等于0.01m，聚合物層1的厚度在0.05μm-2μm之間。石墨層2通過真空鍍設于聚合物層1表面，真空鍍包括有物理氣相沉積法和化學氣相沉積法，有效地減少了由化學電鍍法造成的工業污染。聚合物層1有效地解決了石墨層2易碎切縱向傳熱性差的問題，期間，聚合物層1為聚酯薄膜的層體或聚酰亞胺的層體或聚碳酸酯的層體或聚乙烯的層體。?

本實用新型并不局限于前述的具體實施方式。本實用新型擴展到任何在本說明書中披露的新特征或任何新的組合，以及披露的任一新的方法或過程的步驟或任何新的組合。?