[實用新型]隧道磁阻壓力傳感器

有效

• 申請號: 201220541740.2
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN202853816U
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 劉澤文;李孟委;李錫廣;孫振源
• 申請（專利權）人: 清華大學;中北大學
• 主分類號: G01L1/12
• 分類號: G01L1/12
• 代理公司: 西安智大知識產權代理事務所 61215
• 代理人: 賈玉健

1.一種隧道磁阻壓力傳感器，其特征在于，包括：

鍵合基板（1）；

鐵磁性薄膜承載體（11），設置在鍵合基板（1）上方，上部分為彈性薄膜（4），下部分為墊襯框體（2），墊襯框體（2）四周與鍵合基板（1）相連接；

鐵磁性薄膜（3），設置在鐵磁性薄膜承載體（11）的彈性薄膜（4）的整個下表面；

隧道磁敏電阻（8），設置在鍵合基板（1）上表面中心位置；

保護罩（6），固定在鐵磁性薄膜承載體（11）的上方，保護罩（6）上表面的中間設置連通保護罩（6）的內腔（20）和外界的通孔（7）。

2.根據權利要求1所述的隧道磁阻壓力傳感器，其特性在于，所述鐵磁性薄膜承載體（11）的X方向的長度小于鍵合基板（1）的X方向的長度，鍵合基板（1）相對于鐵磁性薄膜承載體（11）有一個延伸區域。

3.根據權利要求1所述的隧道磁阻壓力傳感器，其特性在于，所述彈性薄膜（4）上表面中心位置刻制一個沉孔（5），沉孔（5）的位置與隧道磁敏電阻（8）的位置正對。

4.根據權利要求3所述的隧道磁阻壓力傳感器，其特征在于，所述沉孔（5）向下刻至鐵磁性薄膜（3）的上表面，以使壓力直接作用于鐵磁性薄膜（3）上導致其形變，且鐵磁性薄膜（3）上表面生長有一層起保護作用的氧化薄膜。

5.根據權利要求1所述的隧道磁阻壓力傳感器，其特征在于，所述墊襯框體（2）為中空框體結構，框體下面與鍵合基板（1）相連，上面覆蓋彈性薄膜（4），三者形成真空腔（21）。

6.根據權利要求1所述的隧道磁阻壓力傳感器，其特征在于，所述的鐵磁性薄膜（3）為多層結構。?

7.根據權利要求6所述的隧道磁阻壓力傳感器，其特征在于，所述多層結構是自上到下依次為：二氧化硅層（12）、二氧化鈦層（13）、鉑層（14）、鐵酸鈷層（15）、鐵酸鉍層（16）。

8.根據權利要求1所述的隧道磁阻壓力傳感器，其特征在于，所述隧道磁敏電阻（8），通過隧道磁敏電阻引出線（9）與隧道磁敏電阻電極（10）相連。

9.根據權利要求8所述的隧道磁阻壓力傳感器，其特征在于，所述隧道磁敏電阻電極（10）設置在鍵合基板（1）的延伸區域的上表面。

10.根據權利要求1所述的隧道磁阻壓力傳感器，其特征在于，所述隧道磁敏電阻（8）是在半導體材料襯底層上自上到下依次排布上鐵磁層（17）、絕緣層（18）和下鐵磁層（19），整個隧道磁敏電阻（8）為多層納米膜結構。?