[實用新型]MEMS巨磁阻式高度壓力傳感器有效
| 申請號： | 201220541716.9 | 申請日： | 2012-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN202853815U | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 李孟委;劉澤文;劉雙紅;孫劍文 | 申請（專利權）人： | 清華大學;中北大學 |
| 主分類號： | G01L1/12 | 分類號： | G01L1/12 |
| 代理公司： | 西安智大知識產權代理事務所 61215 | 代理人： | 賈玉健 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區1*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mems 磁阻 高度 壓力傳感器 | ||
1.一種MEMS巨磁阻式高度壓力傳感器，其特征在于，包括：
鍵合基板（1）；
鐵磁性薄膜承載體（10），設置在鍵合基板（1）上方，上部分為彈性薄膜（4），下部分為墊襯框體（2），墊襯框體（2）四周與鍵合基板（1）相連接；
鐵磁性薄膜（3），設置在鐵磁性薄膜承載體（10）的彈性薄膜（4）下表面的中心位置；
巨磁敏電阻（7），設置在鍵合基板（1）上表面中心位置，與鐵磁性薄膜（3）的位置正對；
保護罩（5），固定在鐵磁性薄膜承載體（10）的上方，保護罩（5）上表面的中間設置連通保護罩（5）的內腔（23）和外界的通孔形的接觸孔（6）。
2.根據權利要求1所述的MEMS巨磁阻式高度壓力傳感器，其特性在于，所述鐵磁性薄膜承載體（10）的X方向的長度小于鍵合基板（1）的X方向的長度，鍵合基板（1）相對于鐵磁性薄膜承載體（10）有一個延伸區域。
3.根據權利要求1所述的MEMS巨磁阻式高度壓力傳感器，其特性在于，所述的彈性薄膜（4）中心區域的厚度大于四周的厚度。
4.根據權利要求3所述的MEMS巨磁阻式高度壓力傳感器，其特征在于，所述的墊襯框體（2）為中空框體結構，墊襯框體（2）下面與鍵合基板（1）相連，上面覆蓋彈性薄膜（4），三者形成一個“凹”字形的真空腔（24）。
5.根據權利要求1所述的MEMS巨磁阻式高度壓力傳感器，其特征在于，所述的鐵磁性薄膜（3）為多層結構。
6.根據權利要求5所述的MEMS巨磁阻式高度壓力傳感器，其特征在于，所述多層結構是自上到下依次為：二氧化硅層（11）、二氧化鈦層（12）、鉑層（13）、鐵酸鈷層（14）、鐵酸鉍層（15）。
7.根據權利要求1所述的MEMS巨磁阻式高度壓力傳感器，其特征在于，?所述巨磁敏電阻（7）通過巨磁敏電阻引出線（8）與巨磁敏電阻電極（9）相連。
8.根據權利要求7所述的MEMS巨磁阻式高度壓力傳感器，其特征在于，所述巨磁敏電阻電極（9）設置在鍵合基板（1）的延伸區域的上表面。
9.根據權利要求1所述的MEMS巨磁阻式高度壓力傳感器，其特征在于，所述巨磁敏電阻（7）為多層結構，自上到下依次為上鉭層（16）、鐵錳層（17）、鈷層（18）、銅層（19）、鎳鐵層（20）、下鉭層（21）以及絕緣層（22）。?
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