[實用新型]一種太陽能電池組件有效
| 申請號: | 201220541420.7 | 申請日: | 2012-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN202839699U | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 馮文宏 | 申請(專利權)人: | 英利能源(中國)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/0216 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及光伏技術領域,特別是涉及一種太陽能電池組件。
背景技術
太陽能電池組件是太陽能發電系統中的核心部分,其作用是將太陽能轉化為電能,或送往蓄電池中存儲起來,或推動負載工作。太陽能電池組件的質量和成本將直接決定整個系統的質量和成本。
太陽能電池組件通常是在厚度300微米~400微米的硅片上制成的,此種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成,實際消耗的硅材料更多。為了節省材料,目前的電池組件的厚度已經降到了180微米~150微米。
由于硅材料存在脆性缺陷,生產工藝過程中存在隱裂和碎片風險。尤其是晶體硅太陽能電池組件在印刷、燒結、性能測試分選后,還需要包裝、運輸、保管、焊接、敷設、層壓等若干個環節,這些環節都會造成電池組件的損壞。
封裝過程中電池組件的碎片損失平均高達1%~3%,加上運輸保管損失有時甚至高達5%以上。電池組件的碎片率高,使得成品合格率較低,生產成本較高。
因此,預防太陽能電池組件在封裝過程中的隱裂和碎片,是本領域技術人員目前急需解決的技術問題。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種太陽能電池組件,該太陽能電池組件在封裝過程中的碎片率較低,成品合格率較高。
為了實現上述技術目的,本實用新型提供了一種太陽能電池組件,包括電池片,所述電池片上側具有透光層,下側具有折射層,所述透光層和所述折射層的外側具有膠膜。
優選地,所述膠膜的厚度為15微米~20微米。
優選地,所述膠膜為乙烯-四氟乙烯共聚物膠膜。
優選地,所述膠膜為乙烯-醋酸乙烯共聚物膠膜。
優選地,所述膠膜為聚乙烯醇縮丁醛膠膜。
優選地,所述透光層外側為乙烯-四氟乙烯共聚物膠膜,所述折射層的外側為乙烯-醋酸乙烯共聚物膠膜或聚乙烯醇縮丁醛膠膜。
本實用新型提供的太陽能電池組件,包括電池片,電池片上側具有透光層,下側具有折射層,透光層和折射層的外側具有膠膜。
太陽能電池組件燒結后,性能指標分選前,在電池組件的正反面噴涂或印刷一層膠膜作為襯底保護膜,厚度可以為15微米~20微米,對電池組件給予保護。與現有技術相比,此結構的電池組件不僅可以防止運輸、保管、焊接、敷設等過程中的隱裂、碎片,而且還可以起到防水、防污染的作用。
此結構的太陽能電池組件工藝制作簡單、生產成本低廉,并且不影響電池組件的發電效率,可以廣泛推廣應用到晶體硅單晶、多晶電池的制作領域,有極大的經濟效益。
具體的,膠膜可以為乙烯-四氟乙烯共聚物膠膜,也可以為為乙烯-醋酸乙烯共聚物膠膜,還可以為為聚乙烯醇縮丁醛膠膜。
一種優選的方式是,透光層外側為乙烯-四氟乙烯共聚物膠膜,折射層的外側為乙烯-醋酸乙烯共聚物膠膜或聚乙烯醇縮丁醛膠膜。
附圖說明
圖1為本實用新型所提供的太陽能電池組件一種具體實施方式的結構示意圖;
圖2為本實用新型所提供的太陽能電池組件第二種具體實施方式的結構示意圖;
圖3為本實用新型所提供的太陽能電池組件第三種具體實施方式的結構示意圖。
其中,圖1至圖3中的附圖標記如下:
電池片1;透光層2;折射層3;膠膜4;乙烯-四氟乙烯共聚物膠膜(ETFE膠膜)41;乙烯-醋酸乙烯共聚物膠膜(EVA膠膜)42;聚乙烯醇縮丁醛膠膜(PVB膠膜)43。
具體實施方式
本實用新型的核心是提供一種太陽能電池組件,該太陽能電池組件在封裝過程中的碎片率較低,有效地提高了成品的合格率。
為了使本技術領域的人員更好地理解本實用新型方案,下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步的詳細說明。
請參考圖1,圖1為本實用新型所提供的太陽能電池組件一種具體實施方式的結構示意圖。
在一種具體的實施方式中,本實用新型提供了一種太陽能電池組件,包括電池片1,所述電池片1上側具有透光層2,下側具有折射層3,透光層2和折射層3的外側具有膠膜4。
太陽能電池組件燒結后,性能指標分選前,在電池組件的正反面噴涂或印刷一層膠膜4作為襯底保護膜,厚度可以為15微米~20微米,對電池組件給予保護。
與現有技術電池組件沒有任何保護性措施相比,此結構的電池組件不僅可以防止運輸、保管、焊接、敷設等過程中的隱裂、碎片,還可以起到防水、防污染的作用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





