[實用新型]晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220540896.9 | 申請日: | 2012-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN203013776U | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李秉霖;姜言森;任現(xiàn)坤;張春艷;程亮;賈河順;馬繼磊;孫繼峰 | 申請(專利權(quán))人: | 山東力諾太陽能電力股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C30B33/12 |
| 代理公司: | 濟南舜源專利事務(wù)所有限公司 37205 | 代理人: | 宋玉霞 |
| 地址: | 250103 山東省濟南*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體 太陽能電池 rie 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于晶體硅太陽能電池制絨設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置。?
背景技術(shù)
太陽能作為一種綠色能源,以其取之不竭、無污染、不受地域資源限制等優(yōu)點越來越受到人們的重視。在太陽電池的研制歷程中曾使用過各種半導(dǎo)體,硅是其中最重要的一種。按豐度排列.硅是地球上第二大元素。硅是單元素半導(dǎo)體,無毒,廢棄硅對環(huán)境沒有污染。因此硅至今仍是太陽電池的最佳選用材料。?
在太陽能電池的制造工藝流程中,RIE制絨逐漸成為降低晶體硅表面反射率,提高陷光效果的重要方法,尤其是在多晶硅方面,大大的減少了硅的表面反射率,提高了電池的轉(zhuǎn)化效率。但是,在后續(xù)電池可靠性方面,電池主柵的焊接拉力也隨著降低。這樣,在一定程度上增加組件的串聯(lián)電阻,降低組件效率和功率,在后期的組件穩(wěn)定性留下了隱患。?
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的是針對上述存在的問題而提供的一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置,該裝置可控性好,靈活性高,適用于晶體硅太陽能電池的工業(yè)化生產(chǎn)。?
本實用新型的一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置采用的技術(shù)方案為:包括反應(yīng)室、氣體管道、噴淋裝置和反應(yīng)離子擋板,其中,噴淋裝置位于反應(yīng)室的頂部,反應(yīng)氣體通過氣體管道由噴淋裝置進入反應(yīng)室,氣體管道上設(shè)置有流量控制器,反應(yīng)室中還設(shè)有反應(yīng)離子擋板,置于需制絨硅片的正面上方;在硅片的制絨過程中,在硅片正面上方添加反應(yīng)離子擋板,通過控制反應(yīng)離子檔板的位置,實現(xiàn)電池主柵區(qū)域未制絨的效果。?
所述的反應(yīng)離子擋板位于電池正面上方0-100cm。?
所述的反應(yīng)離子擋板位于電池正面上方0.01-10cm。?
反應(yīng)離子擋板位于硅片正面電池主柵區(qū)域正上方,形狀與電池主柵區(qū)域的形狀一致。反應(yīng)離子擋板的寬度為0-30cm;所述的反應(yīng)離子擋板的寬度優(yōu)選為0.01-5cm。?
應(yīng)離子擋板為至少一個,反應(yīng)離子擋板之間相互平行。?
反應(yīng)離子擋板由耐腐蝕材料制成。反應(yīng)離子擋板優(yōu)選由石墨制成;或者是由耐腐蝕的陶瓷材料、金屬材料或高分子材料的其中一種或幾種制成。?
本實用新型的有益效果是:本實用新型的一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置包括反應(yīng)室、氣體管道、噴淋裝置,噴淋裝置位于反應(yīng)室的頂部,反應(yīng)氣體通過氣體管道由噴淋裝置進入反應(yīng)室,氣體管道上設(shè)置有流量控制器,反應(yīng)室中還設(shè)有反應(yīng)離子擋板,置于需制絨硅片的正面上方。該裝置可控性好,靈活性高,能夠準確地在硅片電池主柵區(qū)域以外的區(qū)域制絨,實現(xiàn)電池主柵區(qū)域未制絨的效果,適用于晶體硅太陽能電池的工業(yè)化生產(chǎn)。另外,多個反應(yīng)離子擋板的設(shè)計可以更好的適應(yīng)產(chǎn)線工藝的變更。采用該裝置制備的晶體硅太陽能電池可以改善其焊接拉力,提高組件性能的穩(wěn)定性以及轉(zhuǎn)化效率。?
附圖說明:
圖1所示為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2所示為本實用新型實施效果圖。
圖中,1.反應(yīng)室,2.?氣體管道,3.噴淋裝置,?4.反應(yīng)離子擋板,5.?流量控制器,6.硅片,?7.?電池主柵區(qū)域。?
具體實施方式:
為了更好地理解本實用新型,下面結(jié)合附圖和實例來說明本實用新型的技術(shù)方案,但是本實用新型并不局限于此。
一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置,包括反應(yīng)室1、氣體管道2、噴淋裝置3和反應(yīng)離子擋板4,其中,噴淋裝置3位于反應(yīng)室1的頂部,反應(yīng)氣體通過氣體管道2由噴淋裝置3進入反應(yīng)室1,氣體管道2上設(shè)置有流量控制器5;在硅片6的制絨過程中,在硅片6正面上方添加反應(yīng)離子擋板4,通過控制反應(yīng)離子檔板4的位置,實現(xiàn)電池主柵區(qū)域7未制絨的效果。?
所述的反應(yīng)離子擋板4位于硅片6正面上方0-100cm。?
所述的反應(yīng)離子擋板4位于硅片6正面上方0.01-10cm。?
反應(yīng)離子擋板4位于硅片正面電池主柵區(qū)域7正上方,形狀與電池主柵區(qū)域7的形狀一致。反應(yīng)離子擋板4的寬度為0-30cm;所述的反應(yīng)離子擋板4的寬度優(yōu)選為0.01-5cm。?
所述的反應(yīng)離子擋板4為至少一個,而且多個反應(yīng)離子擋板4之間相互平行。?
反應(yīng)離子擋板4由耐腐蝕材料制成。反應(yīng)離子擋板4優(yōu)選由石墨制成,或者是由耐腐蝕的陶瓷材料、金屬材料或高分子材料的其中一種或幾種制成。?
采用該裝置制備的晶體硅太陽能電池可以改善其焊接拉力,提高組件性能的穩(wěn)定性以及轉(zhuǎn)化效率。?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





