[實(shí)用新型]納米硅薄膜壓力傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220540296.2
• 申請(qǐng)日: 2012-10-22
• 公開（公告）號(hào): CN202956241U
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝貴久;白慶星;安志超;謝鋒;何迎輝;顏志紅;黃華山;龔星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
• 主分類號(hào): G01L9/04
• 分類號(hào): G01L9/04
• 代理公司: 長(zhǎng)沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113
• 代理人: 馬強(qiáng)

1.?一種納米硅薄膜壓力傳感器，包括前端設(shè)有引壓嘴（3）的壓力腔（1）、一端固定到壓力腔（1）后部的外罩（4）和置于壓力腔（1）后端的彈性膜片（5），其特征是，所述外罩（4）與壓力腔（1）之間形成密封腔體（12），并在外罩（4）上設(shè)有航空插頭（13）；壓力腔（1）后端面作為彈性膜片（5），并在壓力腔（1）后端面安裝由納米硅應(yīng)變材料制成的4個(gè)納米硅薄膜應(yīng)變電阻（10），所述4個(gè)納米硅薄膜應(yīng)變電阻（10）按壓力腔（1）中心軸對(duì)稱分布構(gòu)成惠斯登電橋，該惠斯登電橋的輸入端與壓力腔（1）后端面連接，而惠斯登電橋的輸出端與置于密封腔體（12）內(nèi)的輸入輸出模塊的輸入端連接，所述輸入輸出模塊的輸出端連接到外罩（4）的航空插頭（13）上；所述納米硅薄膜應(yīng)變電阻（10）與壓力腔（1）后端面之間設(shè)有絕緣層（9），而在納米硅薄膜應(yīng)變電阻（10）外側(cè)覆有保護(hù)層（11）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述納米硅薄膜壓力傳感器，其特征是，所述輸入輸出模塊依次包括內(nèi)引線板（6）、電路元件板（7）和外引線板（8）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述納米硅薄膜壓力傳感器，其特征是，所述絕緣層（9）為SiO₂薄膜或Si₃N₄薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述納米硅薄膜壓力傳感器，其特征是，所述保護(hù)層（11）為SiO₂薄膜。