[實用新型]一種導熱雙面撓性覆銅板有效
| 申請號: | 201220528763.X | 申請日: | 2012-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN202923053U | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發明(設計)人: | 張家驥;黃素錦 | 申請(專利權)人: | 新高電子材料(中山)有限公司 |
| 主分類號: | B32B15/08 | 分類號: | B32B15/08;B32B7/12 |
| 代理公司: | 中山市科創專利代理有限公司 44211 | 代理人: | 謝自安 |
| 地址: | 528400 廣東省中*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 導熱 雙面 撓性覆 銅板 | ||
[技術領域]
本實用新型涉及一種導熱雙面撓性覆銅板。
[背景技術]
撓性覆銅板傳統的制造方法是三層有膠型或兩層無膠型,三層有膠型是在市售的8~50um聚酰亞胺薄膜上單面或雙面涂布一層厚度是5~35um的改性環氧樹脂或改性丙烯酸樹脂膠黏劑,干燥后貼合銅箔得到;兩層無膠型是在銅箔上涂布聚酰胺酸,然后亞胺化得到無膠單面覆銅板,再涂布一層熱塑性聚酰亞胺層,然后在熱塑性聚酰亞胺層上壓合銅箔得到無膠雙面覆銅板。
隨著LED的大面積普及推廣應用,以及電子芯片的高功能化、高功率化發展,電子線路基板上的LED以及電子芯片發熱量大,傳統線路板基材導熱系數低,不利于熱量導出散發,會導致LED以及電子芯片壽命下降,傳統線路板基材已經不能滿足要求。因此,有必要開發一種導熱雙面撓性銅箔基板材料。
[實用新型內容]
本實用新型的目的是為了克服現有技術的不足提供一種導熱系數高,熱阻小,散熱效果好,能夠延長電子芯片壽命的導熱雙面撓性覆銅板。
本實用新型為了實現上述目的,通過以下技術方案來實現:
一種導熱雙面撓性覆銅板,其特征在于包括第一銅箔層以及涂覆于第一銅箔層上的第一導熱聚酰亞胺層,所述的第一導熱聚酰亞胺層上涂布有導熱膠黏劑層,所述的導熱膠黏劑層上壓覆有第二銅箔層。
如上所述的一種導熱雙面撓性覆銅板,其特征在于所述導熱膠黏劑層和第二銅箔層之間還設有第二導熱聚酰亞胺層。
如上所述的導熱雙面撓性覆銅板,其特征在于所述導熱膠黏劑層的厚度為3~25um,所述第一導熱聚酰亞胺層與第二導熱聚酰亞胺層的厚度為3~25um,所述的第一銅箔層與第二銅箔層的厚度為3~35um。
本實用新型的有益效果:提高了撓性覆銅板材料的導熱系數,明顯減小了熱阻,增強了導熱、散熱能力,使得撓性覆銅板材料能夠滿足LED的大面積普及推廣應用以及電子芯片的高功能化、高功率化發展應用要求。
[附圖說明]
圖1為本實用新型第一實施例的導熱雙面撓性銅箔基板的示意圖;
圖2為本實用新型第二實施例的導熱雙面撓性銅箔基板的示意圖。
[具體實施方式]
下面結合附圖及具體實施例對本實用新型作進一步說明:
如圖1所示,導熱雙面撓性覆銅板,包括第一銅箔層1以及涂覆于第一銅箔層1上的第一導熱聚酰亞胺層2,在第一導熱聚酰亞胺層2上涂布有導熱膠黏劑層3,該導熱膠黏劑層3上壓覆有第二銅箔層5,其中第一銅箔層1與涂布在其上的第一導熱聚酰亞胺層2形成第一導熱單面覆銅板。圖1為本實用新型的第一實施例,第一銅箔層1與第一導熱聚酰亞胺層2形成第一導熱單面銅板。
如圖2所示,本實用新型的第二實施例為在導熱膠黏劑層3和第二銅箔層5之間加設第二導熱聚酰亞胺層4,即在導熱膠黏劑層3的另一面壓覆第二導熱單面覆銅板,第二銅箔層5與涂布在其上的第二導熱聚酰亞胺層4開成第二導熱單面覆銅板。
所述的第一銅箔層1為電解銅箔和壓延銅箔中的一種,第二銅箔層5為電解銅箔和壓延銅箔中的一種,第一銅箔層1和第二銅箔層5相同,厚度為3~35um。
第一導熱聚酰亞胺層2和第二導熱棸酰亞胺層4也相同,其厚度為3~25um,包含有1%~10%固含量的導熱填料。
所述的導熱膠黏劑層包含有30%~80%固含量的導熱填料。
第一、第二導熱聚酰亞胺層2,4和導熱膠黏劑層3添加物中的導熱填料為氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硅中的至少一種。
所述的導熱膠黏劑層的由改性環氧樹脂或改性丙烯酸樹脂成型,其厚度為3~25um。
對比例1:新高電子傳統有膠撓性覆銅板
商品型號ASL-FD0120IT,銅箔為18um壓延銅箔,聚酰亞胺膜12um,膠黏劑12um,其導熱系數為0.26w/mk,熱阻為1.22℃/w。
對比例2:新高電子傳統無膠撓性雙面覆銅板
商品型號AS2L-AD130PT,銅箔為18um壓延銅箔,聚酰亞胺膜13um,其導熱系數為0.26w/mk,熱阻為1.06℃/w。
本實用新型的導熱系數為0.52-0.55w/mk,熱阻為0.23-0.27℃/w。測試方法如下:導熱系數:ASTM?D5470,熱阻:ASTM?D5470。
由上可知,本實用新型導熱雙面撓性覆銅板導熱系數高、熱阻低,能夠滿足LED以及電子芯片發熱量大的應用場合。
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