[實用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220526059.0
• 申請日: 2012-10-15
• 公開（公告）號: CN202957233U
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邱祥清;吳聲明;楊光浩;林恭安;王晨聿
• 申請（專利權(quán)）人: 頎邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/373
• 分類號: H01L23/373
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種可降低電阻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有習(xí)知的半導(dǎo)體制造工藝中，為了改善高功率IC散熱問題而開發(fā)出晶背金屬化制造工藝(Back?Side?Metal?Process)，其是在晶圓背面蒸鍍或濺鍍一層或多層可做為接合/導(dǎo)熱用的金屬層，該金屬層亦可再接合基材(例如：散熱片/Lead?frame)，以達到較佳的散熱及導(dǎo)電效果，目前一般蒸鍍或濺鍍于晶圓背面的金屬層大多選用金或銀，但目前金價居高不下，因此基于成本考慮下，銀層為較佳選擇，然銀層與硅晶圓之間必須以鈦層作為黏著層，但后端封裝制造工藝中溫度過高而鈦層厚度薄時，銀層會融化而擴散至硅-鈦層，造成硅晶圓與銀層剝離，反之，溫度過高而鈦層厚度厚時，鈦-銀層會產(chǎn)生接口合金共化物，因而導(dǎo)致電阻抗上升。

有鑒于上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，能夠改進一般現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計,并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本實用新型。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型的目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能達到最佳的散熱及導(dǎo)電效果，并可降低封裝后的電阻抗，從而更加適于實用。

本實用新型的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本實用新型提出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其至少包含：硅基板，其具有主動面及背面；鈦層，其形成于該背面，該鈦層具有上表面；鎳層，其形成于該鈦層的該上表面；銀層，其形成于該鎳層上；以及金屬材質(zhì)黏著層，其形成于該鎳層及該銀層之間。

本實用新型的目的以及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進一步實現(xiàn)。

前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該金屬材質(zhì)黏著層的材質(zhì)選自于鈦。

前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該鈦層的厚度范圍介于

前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該鎳層的厚度范圍介于

前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該銀層的厚度范圍介于

前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該金屬材質(zhì)黏著層的厚度范圍介于

前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該金屬材質(zhì)黏著層具有第一厚度，該鈦層具有第二厚度，該第一厚度不大于該第二厚度。

本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方案,本實用新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可達到相當(dāng)?shù)募夹g(shù)進步性及實用性，并具有產(chǎn)業(yè)上的廣泛利用價值，其至少具有下列優(yōu)點：借由該金屬材質(zhì)黏著層使該鎳層與該銀層具有良好的結(jié)合強度，且該鎳層可作為良好的阻障層，進而使該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)達到最佳的散熱及導(dǎo)電效果，并降低封裝后的電阻抗。

上述說明僅是本實用新型技術(shù)方案的概述，為了能更清楚了解本實用新型的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為讓本實用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例,并配合附圖，詳細說明如下。

附圖說明

圖1是依據(jù)本實用新型的一較佳實施例，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是依據(jù)本實用新型的一較佳實施例，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電子顯微鏡拍攝的照片圖。

【主要元件符號說明】

100：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

110：硅基板???111：主動面

112：背面

120：鈦層?????121：上表面

130：鎳層?????140：銀層

150：金屬材質(zhì)黏著層

T1：第一厚度???T2：第二厚度

具體實施方式

為更進一步闡述本實用新型為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本實用新型提出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)其具體實施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。