[實用新型]改善靜電防護的發光二極管的結構有效

申請號：	201220523810.1	申請日：	2012-10-13
公開（公告）號：	CN202871793U	公開（公告）日：	2013-04-10
發明（設計）人：	張淋;杜高云;鄧群雄	申請（專利權）人：	江蘇新廣聯科技股份有限公司
主分類號：	H01L27/15	分類號：	H01L27/15;H01L33/20;H01L33/36
代理公司：	無錫市大為專利商標事務所 32104	代理人：	曹祖良
地址：	214111 江蘇省無錫***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	改善靜電防護發光二極管結構
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【說明書】：

技術領域

本實用新型涉及一種LED芯片結構，尤其是一種改善靜電防護的發光二極管的結構，屬于LED芯片技術領域。?

背景技術

靜電學是十八世紀以庫侖定律為基礎建立起來的，以研究靜止電荷及磁場作用規律的學科，是物理學中電磁學的一個重要組成部分。?

靜電是在我們平時生活中到處存在的，但是在二十世紀40-50年代，半導體產業很少有靜電問題，因為那時是晶體三極管和二極管，而所產生的靜電也不如現在普遍。在60年代，隨著對靜電非常敏感的MOS器件的出現，靜電問題逐漸被人們所關注。70-90年代，隨著集成電路的密度越來越大，一方面其二氧化硅膜的厚度越來越薄（微米一納米），其承受的靜電電壓越來越低；另一方面，產生和積累靜電的材料如塑料，橡膠等大量使用，使得靜電現象越來越普遍存在。?

在二十世紀中期，很多靜電問題都是由于人們沒有ESD（Electro-Static?discharge，靜電釋放）意識而造成的。即使現在也有很多人懷疑ESD是否會對電子產品造成損壞，這是因為大多數ESD損害發生在人的感覺以外。因為人體對靜電放電的感知電壓約為3KV，而許多電子元件在幾百伏甚至幾十伏時就會損壞，通常電子器件對被ESD損壞后沒有明顯的界限，把元件安裝在PCB板上以后再檢測，結果出現很多問題，分析也相當困難。特別是潛在損壞，即使用精密儀器也很難測量出其性能有明顯變化，所以很多電子工程師和設計人員都懷疑ESD的危害，但近年實驗證實，這種潛在損壞在一定時間以后，電子產品的可靠性明顯下降。?

所以，隨著現在半導體工藝水平的提高，電子產品也制作的越來越精細。對于電子產品的靜電防護是相當必要的。?

發明內容

本實用新型的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種改善靜電防護的發光二極管的結構，能夠改善靜電所帶來的危害，提高靜電防護的效果，延長LED芯片器件使用壽命。?

按照本實用新型提供的技術方案，所述改善靜電防護的發光二極管的結構，包括襯底、N型半導體層、P型半導體層、第一電極和第二電極，襯底上依次設置緩沖層和N型半導體層，緩沖層覆蓋于襯底上，N型半導體層覆蓋于緩沖層上，其特征是：所述N型半導體層和緩沖層區分成第一島狀結構、第二島狀結構和第三島狀結構；在所述第二島狀結構和第三島狀結構上依次設置有源層和P型半導體層，在第三島狀結構上的P型半導體層上設置透明導電層；在所述第一島狀結構、第二島狀結構上的P型半導體層、透明導電層上設置鈍化層，該鈍化層包覆第一島狀結構、第一島狀結構與第二島狀結構之間的溝槽、第二島狀結構與第三島狀結構之間的溝槽、第二島狀結構及第二島狀結構上的P型半導體層和有源層、第三島狀結構及第三島狀結構上的透明導電層、P型半導體層和有源層；所述第一電極分別穿過鈍化層與透明導電層和第二島狀結構中的N型半導體層連接；所述第二電極分別穿過鈍化層與第一島狀結構中的N型半導體層和第二島狀結構上的P型半導體層連接；所述第一電極、第一島狀結構、第三島狀結構、第三島狀結構上的有源層和P型半導體層構成主級二極管，所述第二電極、第二島狀結構、第二島狀結構上的有源層和P型半導體層構成次級二極管。?

所述第一島狀結構和第二島狀結構之間的溝槽、以及第二島狀結構和第三島狀結構之間的溝槽的深度為7μm。?

所述次級二極管的面積≤主級二極管面積的10%。?

所述鈍化層的材料為二氧化硅或氮化硅。?

所述襯底為藍寶石基板或碳化硅基板。?

所述第一電極、第二電極為單層或多層金屬。?

所述第一電極、第二電極為Cr、Pt、Au多層金屬或者Ni、Au多層金屬，Ti、Au多層金屬或者Ti、Pt、Au多層金屬。?

所述透明導電層的材料為單層金屬、多層金屬、單層金屬氧化物或多層金屬氧化物。?

本實用新型所述發光二極管的優點為：?

（一）、由于次級二極管的面積較少，對主二極管的發光效率基本不產生太大影響；

（二）、結構簡單緊湊，與現有加工工藝相兼容，完全可以實現量產制作；

（三）、有效的提高了靜電防護，減少靜電帶來的損傷，延長了LED芯片使用壽命，安全可靠。

附圖說明