[實用新型]多層硅基電容器電極連接結構

有效

• 申請號: 201220517257.0
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN202905470U
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 雷鳴;唐劍平;陳杰;陳立軍
• 申請（專利權）人: 無錫納能科技有限公司
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/002;H01G4/005;H01G4/232
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種多層硅基電容器電極連接結構，包括襯底（1）；其特征是：所述襯底（1）內設置若干槽型的面積擴張區域（3）；在所述襯底（1）的面積擴張區域（3）內設置若干內部電極層；所述內部電極層包括奇數內部電極層（4）及與所述奇數內部電極層（4）交替分布的偶數內部電極層（5），所述偶數內部電極層（5）與奇數內部電極層（4）間設置介質層（6）；襯底（1）的上表面上設置互連電極層，所述互連電極層包括用于與偶數內部電極層（5）電連接的偶數互連電極（10）及用于與奇數內部電極層（4）電連接的奇數互連電極（11），所述偶數互連電極（10）與奇數互連電極（11）間絕緣隔離。

2.根據權利要求1所述的多層硅基電容器電極連接結構，其特征是：所述偶數互連電極（10）通過襯底（1）上的第一絕緣層（7）及鈍化保護層（12）與奇數互連電極（11）絕緣隔離。

3.根據權利要求1所述的多層硅基電容器電極連接結構，其特征是：所述偶數互連電極（10）通過所述偶數互連電極（10）下方的第二絕緣層（9）與奇數內部電極層（4）電絕緣；奇數互連電極（11）通過所述奇數互連電極（11）下方的第二絕緣層（9）與偶數內部電極層（5）電絕緣。

4.根據權利要求1所述的多層硅基電容器電極連接結構，其特征是：所述襯底（1）的材料包括硅。

5.根據權利要求1所述的多層硅基電容器電極連接結構，其特征是：所述奇數內部電極層（4）與偶數內部電極層（5）分別由兩種具有不同選擇性刻蝕的材料制成。