[實(shí)用新型]位于GaAs襯底雙面的三結(jié)太陽能電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220513099.1
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN202855787U
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王帥;高鵬;劉如彬;康培;孫強(qiáng);穆杰
• 申請（專利權(quán)）人: 天津藍(lán)天太陽科技有限公司;中國電子科技集團(tuán)公司第十八研究所
• 主分類號: H01L31/0687
• 分類號: H01L31/0687;H01L31/0693
• 代理公司: 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 12101
• 代理人: 李鳳

1.位于GaAs襯底雙面的三結(jié)太陽能電池，包括GaAs襯底、第一結(jié)In_xGa_1-xAs電池、第二結(jié)GaAs電池和第三結(jié)GaInP電池，其特征在于：所述第一結(jié)In_xGa_1-xAs電池制于GaAs襯底的一面，所述第二結(jié)GaAs電池和第三結(jié)GaInP電池制于GaAs襯底的另一面；GaAs襯底為厚度500-800微米的n型GaAs片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的位于GaAs襯底雙面的三結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述自GaAs襯底至第一結(jié)In_xGa_1-xAs電池之間還依次制有厚度為0.1-0.3微米的n型GaAs緩沖層和厚度為2-5μm的n型In_x(Al_yGa_1-y)_1-xAs漸變層；所述自GaAs襯底至第二結(jié)GaAs電池之間還依次制有厚度為0.1-0.3微米n型GaAs緩沖層和第一隧穿結(jié)；第二結(jié)GaAs電池至第三結(jié)GaInP電池之間制有第二隧穿結(jié)；第三結(jié)GaInP電池的另一面制有厚度為100-1000nm的n型GaAs帽層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的位于GaAs襯底雙面的三結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述第一結(jié)In_xGa_1-xAs電池自下至上依次為厚度500-800nm的p型In_xGa_1-xAs帽層、厚度100-200nm的p型In_x(Al_yGa_1-y)_1-xAs背場層、厚度1500-2000nm的p型In_xGa_1-xAs基區(qū)、厚度200-400nm的n型In_xGa_1-xAs發(fā)射區(qū)和厚度100-300nm的n型In_x(Al_yGa_1-y)_1-xAs窗口層；所述第二結(jié)GaAs電池自下至上依次包括厚度100-200nm的p型Al_xGa_1-xAs背場層、厚度3000-4000nm的p型GaAs基區(qū)、厚度50-200nm的n型GaAs發(fā)射區(qū)和厚度為30-100nm的n型Al_xGa_1-xAs窗口層；所述第三結(jié)GaInP電池自下至上依次包括厚度100-200nm的p型AlGaInP背場層、厚度1000-2000nm的p型GaInP基區(qū)、厚度為50-200nm的n型GaInP發(fā)射區(qū)和厚度30-100nm的n型AlInP窗口層；所述第一隧穿結(jié)為厚度10nm-100nm的n型GaAs層和厚度10nm-100nm的p型Al_0.4Ga_0.6As層；所述第二隧穿結(jié)為厚度10nm-100nm的n型GaAs層和厚度10nm-100nm的p型Al_0.4Ga_0.6As層。