[實(shí)用新型]集成磁場傳感器控制開關(guān)器件以及集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220512638.X
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN203135836U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 烏多·奧塞爾勒基納;讓-瑪麗·勒加爾;塞巴斯蒂安·梅爾滋
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H03K17/90
• 分類號: H03K17/90
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

相關(guān)申請?

本申請要求于2011年10月6日提交的美國專利申請第13/267，308以及13/366，917號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引證結(jié)合于本文中。?

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型總體上涉及開關(guān)器件，更具體地，涉及磁場傳感器控制開關(guān)器件。?

背景技術(shù)

半導(dǎo)體霍爾傳感器目前用于邏輯信令，但是通常僅能夠切換有限負(fù)載電流。因此，目前使用兩個分離器件:霍爾傳感器和負(fù)載切換集成電路(IC)。通常在操作中，指示切換狀態(tài)的霍爾傳感器信號由微控制器接收而微控制器反過來將負(fù)載切換IC激活。霍爾傳感器和負(fù)載切換IC通常焊接在印刷電路板(PCB)上。這樣的配置比預(yù)想的使用更多電路板和封裝空間，而且在外圍空間和布線上更加復(fù)雜，而外圍空間的布線的復(fù)雜均會導(dǎo)致更高的成本。?

因此，存在對具有像霍爾傳感器的磁場傳感器的魯棒性和可靠性優(yōu)勢的改進(jìn)型功率開關(guān)的需要。?

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式提供一種磁場傳感器控制器件，包括：集成電路封裝；磁開關(guān)電路，設(shè)置在所述封裝中；以及負(fù)載開關(guān)電路，耦接至所述磁開關(guān)電路并設(shè)置在所述封裝中。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，該磁場傳感器控制器件進(jìn)一步包括耦接至所述磁開關(guān)電路和所述負(fù)載開關(guān)電路的上拉電阻。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，所述上拉電阻設(shè)置在所述封裝中。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，所述負(fù)載開關(guān)電路包括晶體管、有源功率開關(guān)、nMOS器件、pMOS器件、線性電流源或開關(guān)電流源中的一個。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，所述磁開關(guān)電路包括霍爾效應(yīng)元件。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，所述磁開關(guān)電路包括磁阻傳感器、差分傳感器、磁敏二極管、磁敏晶體管或磁敏MOSFET中的至少一個。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，所述磁開關(guān)電路和所述負(fù)載開關(guān)電路集成在單個芯片上。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，磁場傳感器控制器件進(jìn)一步包括設(shè)置在所述封裝中的引線框架，其中所述磁開關(guān)電路布置在所述引線框架的第一側(cè)邊，以及所述負(fù)載開關(guān)電路布置在與所述第一側(cè)邊相對的第二側(cè)邊。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，磁場傳感器控制器件進(jìn)一步包括設(shè)置在所述封裝中的引線框架，其中所述磁開關(guān)電路和所述負(fù)載開關(guān)電路設(shè)置在所述引線框架的第一側(cè)邊。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，所述磁開關(guān)電路和所述負(fù)載開關(guān)電路以逐個芯片的配置方式布置。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，所述負(fù)載開關(guān)電路被配置為以約100毫安（mA）到約50A的范圍切換負(fù)載。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，所述負(fù)載開關(guān)電路被配置為以約100毫安到約20A的范圍切換負(fù)載。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，所述負(fù)載包括燈或LED。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，所述磁開關(guān)電路被配置為向微控制器發(fā)送邏輯信號。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，磁場傳感器控制器件進(jìn)一步包括耦接至所述磁開關(guān)電路并設(shè)置在所述封裝中的至少一個附加負(fù)載開關(guān)電路。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施方式的磁場傳感器控制器件的優(yōu)選實(shí)施方案中，磁場傳感器控制器件進(jìn)一步包括設(shè)置在所述封裝中的集成負(fù)載保護(hù)電路或集成負(fù)載診斷中的至少一個。?

本實(shí)用新型的又一個實(shí)施方式提供一種集成電路，包括：包括磁場傳感器元件的磁場切換電路；耦接至所述磁場切換電路的負(fù)載切換電路；以及容納所述磁場切換電路和所述負(fù)載切換電路的集成電路封裝。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的又一個實(shí)施方式的集成電路的優(yōu)選實(shí)施方案中，進(jìn)一步包括芯片，其中所述磁場切換電路和所述負(fù)載切換電路形成在所述芯片上。?

在根據(jù)本實(shí)用新型的又一個實(shí)施方式的集成電路的優(yōu)選實(shí)施方案中，進(jìn)一步包括容納在所述封裝中的上拉電阻。?