[實(shí)用新型]一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220510065.7
• 申請(qǐng)日: 2012-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN202856306U
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃善兵;翟建光;甘彥君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市新國都技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): H02H3/08
• 分類號(hào): H02H3/08;H02H11/00;H02H3/20
• 代理公司: 深圳市精英專利事務(wù)所 44242
• 代理人: 李新林

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及驅(qū)動(dòng)電源領(lǐng)域，尤其涉及一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路。

背景技術(shù)

隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步及社會(huì)的發(fā)展，越來越多的電子產(chǎn)品走進(jìn)人們的日常生活。特別是隨著小家電產(chǎn)品的種類及數(shù)量的增加，電源適配器產(chǎn)業(yè)逐漸興起，實(shí)際應(yīng)用中，電源過流、反接、過壓等現(xiàn)象造成電子產(chǎn)品損壞的問題也日益凸顯。于是，人們?cè)谠O(shè)計(jì)電子產(chǎn)品時(shí)，不得不去設(shè)計(jì)一些保護(hù)電路以防止過壓過流及反接的情況發(fā)生。

其中，過流是指電流過大，超過電路的額定電流的情況。現(xiàn)在主要防止過流的方法是在電路上加保險(xiǎn)絲，保險(xiǎn)絲上都有額定的電流，當(dāng)電路電流超過保險(xiǎn)絲的額定電流時(shí)，保險(xiǎn)絲會(huì)熔斷，形成斷路，從而保護(hù)電路中的電子元器件。

反接是指電源適配器正負(fù)極接反的情況，一般防止反接的辦法是在電路中加二極管，利用二極管的單向?qū)щ姷奶匦远种品聪螂娏鞯牧鬟^，但是采用這種方法時(shí)，二極管上會(huì)有壓降的損耗，該損耗會(huì)隨著電流的增加而增大，在電流較大的電路中，有可能會(huì)因?yàn)閴航堤蠖斐呻娐诽幱谇穳旱那闆r。

過壓是指輸入電壓超過額定輸入電壓的情況，現(xiàn)有技術(shù)中常采用過壓保護(hù)芯片而穩(wěn)定浪涌電壓，當(dāng)電壓輸入持續(xù)過高時(shí)，可將電路斷開以保護(hù)電子元件，但是，過壓保護(hù)芯片的價(jià)格較高，增加了企業(yè)成本。

因此，現(xiàn)有的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路存在電路欠壓及成本較高的缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于，提供一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，從而避免電路欠壓及降低產(chǎn)品成本。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案。

一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，其包括有：熔斷器、雙向可控硅及穩(wěn)壓管，所述熔斷器的第一端為電源端，其第二端為供電輸出端，該第二端還通過第一電阻而連接至穩(wěn)壓管的陰極，該穩(wěn)壓管的陽極通過第二電阻接地，所述熔斷器的第二端還連接雙向可控硅的第一極，所述雙向可控硅的第二極接地，其控制極連接至穩(wěn)壓管的陽極。

優(yōu)選地，所述熔斷器為自恢復(fù)型保險(xiǎn)絲。

優(yōu)選地，所述穩(wěn)壓管的鉗位電壓為12V。

優(yōu)選地，所述第一電阻與第二電阻的電阻值相等。

優(yōu)選地，所述電源端還通過第一電容接地。

優(yōu)選地，所述第二電阻還并聯(lián)有第二電容。

本實(shí)用新型公開的一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路中，當(dāng)電路過流時(shí)，熔斷器熔斷以令電路呈斷路狀態(tài)。當(dāng)電源端與地反接時(shí)，雙向晶閘管的控制極與第二極均為高電位，雙向晶閘管導(dǎo)通，熔斷器因電路短路而熔斷，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)電源端與地反接時(shí)的保護(hù)，這種保護(hù)方法，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用二極管抑制反向電流的保護(hù)方式，避免了因二極管的壓降損耗而造成的電路欠壓。當(dāng)電源端的輸入電壓過高時(shí)，穩(wěn)壓管反向擊穿，且通過第一電阻及第二電阻的分壓作用，使第二電阻產(chǎn)生電壓，當(dāng)該電壓達(dá)到雙向可控硅的觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅因?qū)ǘ鴮㈦娫炊伺c地短路，此時(shí)，熔斷器因電流過大而熔斷，從而實(shí)現(xiàn)了過壓保護(hù)，這種保護(hù)方法，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用過壓保護(hù)芯片的保護(hù)方式，降低了產(chǎn)品成本。因此，本實(shí)用新型不僅避免了電路欠壓還降低了產(chǎn)品成本。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作更加詳細(xì)的說明。

本實(shí)用新型公開一種基于雙向可控硅的反接保護(hù)及過壓保護(hù)電路，如圖1所示，其包括有：熔斷器FU1、雙向可控硅Q1及穩(wěn)壓管D1，所述熔斷器FU1的第一端為電源端VIN，其第二端為供電輸出端VCC，該第二端還通過第一電阻R1而連接至穩(wěn)壓管D1的陰極，該穩(wěn)壓管D1的陽極通過第二電阻R2接地，所述熔斷器FU1的第二端還連接雙向可控硅Q1的第一極，所述雙向可控硅Q1的第二極接地，其控制極連接至穩(wěn)壓管D1的陽極。