[實(shí)用新型]調(diào)壓電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220509019.5
• 申請(qǐng)日: 2012-10-07
• 公開（公告）號(hào): CN202795118U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周曉東;王曉娟;王紀(jì)云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鄭州單點(diǎn)科技軟件有限公司
• 主分類號(hào): G05F1/56
• 分類號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種調(diào)壓電路。

背景技術(shù)

調(diào)壓是電路中經(jīng)常用到的電路模塊，用于調(diào)整電路功能電壓。現(xiàn)有電路中一般采用晶閘管作為調(diào)壓的件，但是晶閘管的面積較大，發(fā)熱較大，消耗的功率也較大，根本不適用于集成電路，一般是在芯片外接調(diào)壓電路。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于：針對(duì)上述存在的問題，提供一種MOS結(jié)構(gòu)的調(diào)壓電路。

本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是這樣的：本實(shí)用新型的一種調(diào)壓電路，該電路包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一電阻、第二電阻、可調(diào)電阻和肖特基勢(shì)壘二極管；所述第一NMOS晶體管的柵極通過第一電阻連接至電壓源并通過可調(diào)電阻連接至地，源極接地，漏極連接至肖特基勢(shì)壘二極管的負(fù)極端、第二NMOS晶體管的柵極以及通過第二電阻連接至電壓源；肖特基勢(shì)壘二極管的正極端接地；第二NMOS晶體管的源極接地，漏極作為輸出端的負(fù)極。體積較小、功耗小、速度高、適用于集成，電路結(jié)構(gòu)簡單。

在上述的電路中，所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管為參數(shù)相同的NMOS晶體管。

在上述的電路中，所述第一電阻和第二電阻為參數(shù)相同的電阻。

綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是：該電路體較小、功耗小、速度高、適用于集成，且電路結(jié)構(gòu)簡單。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型調(diào)壓電路的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的說明。

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

如圖1所示，是本實(shí)用新型調(diào)壓電路的電路原理圖。

下面結(jié)合圖1對(duì)本實(shí)用新型上述各電子元器件間的連接關(guān)系做詳細(xì)說明：一種調(diào)壓電路，該電路包括第一NMOS晶體管Q1、第二NMOS晶體管Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、可調(diào)電阻RW1和肖特基勢(shì)壘二極管Z1；所述第一NMOS晶體管Q1的柵極通過第一電阻R1連接至電壓源VDD并通過可調(diào)電阻RW1連接至地GND，源極接地GND，漏極連接至肖特基勢(shì)壘二極管Z1的負(fù)極端、第二NMOS晶體管Q2的柵極以及通過第二電阻R2連接至電壓源VDD；肖特基勢(shì)壘二極管Z1的正極端接地；第二NMOS晶體管Q2的源極接地GND，漏極作為輸出端Vout的負(fù)極。

在本實(shí)用新型上述的電路中，所述第一NMOS晶體管Q1和第二NMOS晶體管Q2為參數(shù)相同的NMOS晶體管。

在本實(shí)用新型上述的電路中，所述第一電阻R1和第二電阻R2為參數(shù)相同的電阻。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。