[實(shí)用新型]一種LED芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220508806.8
• 申請(qǐng)日: 2012-10-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202888223U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈靜輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖南珂輝光電節(jié)能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/46
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種LED（發(fā)光二極管）的組成元件，具體涉及一種LED芯片，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

LED由于其節(jié)能性、環(huán)保性等諸多優(yōu)點(diǎn)，逐漸取代白熾燈、日光燈而進(jìn)入照明市場(chǎng)，并被廣大消費(fèi)者接受。

在現(xiàn)有技術(shù)中，普通的LED芯片只能一面發(fā)光，對(duì)LED發(fā)光效率和亮度的提升主要是通過(guò)增加LED的尺寸來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這樣不僅使LED產(chǎn)品的成本大大增加，不利于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，而且制造難度也加大，不良率較高。

因此，為避免上述技術(shù)問(wèn)題，確有必要提供一種具有改良結(jié)構(gòu)的LED芯片，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容

為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種發(fā)光效率高且成本低的LED芯片。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為：一種LED芯片，其包括自上而下依次設(shè)置的增透膜層、上發(fā)光層、襯底層、下發(fā)光層以及反射膜層。

本實(shí)用新型的LED芯片進(jìn)一步設(shè)置為：所述反射膜層的厚度為300nm~500nm。

本實(shí)用新型的LED芯片進(jìn)一步設(shè)置為：所述反射膜層具體為鎳材質(zhì)的反射膜層。

本實(shí)用新型的LED芯片還設(shè)置為：所述增透膜層的厚度為光波長(zhǎng)的四分之一。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下有益效果：本實(shí)用新型的LED芯片通過(guò)設(shè)置反射膜層，從而能使襯底層背面發(fā)出的光得到充分利用，提高光照效率；同時(shí)，通過(guò)設(shè)置增透膜層，從而能夠提高該芯片的透光率，提升亮度。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的LED芯片的斷面圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱說(shuō)明書(shū)附圖1所示，本實(shí)用新型為一種LED芯片，其由自上而下依次設(shè)置的增透膜層1、上發(fā)光層2、襯底層3、下發(fā)光層4以及反射膜層5等幾部分組成。

其中，所述增透膜層1的厚度為光波長(zhǎng)的四分之一，此厚度的增透膜層1的增透效果最佳。通過(guò)設(shè)置所述增透膜層1，從而能夠提高該芯片的透光率，減少光的損耗，提升亮度。

所述上發(fā)光層2和下發(fā)光層4分別位于襯底層3的正面和背面。

所述反射膜層5的厚度為300nm~500nm，其具體為鎳材質(zhì)的反射膜層5。通過(guò)設(shè)置所述反射膜層5，能使襯底層3背面發(fā)出的光得到充分利用，提高光照效率。

以上的具體實(shí)施方式僅為本創(chuàng)作的較佳實(shí)施例，并不用以限制本創(chuàng)作，凡在本創(chuàng)作的精神及原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本創(chuàng)作的保護(hù)范圍之內(nèi)。