[實用新型]寬脈沖頻率調節范圍的半導體激光泵浦全固態激光器

有效

• 申請號: 201220504291.4
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN202872169U
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 李斌;姚矣;鄭權
• 申請（專利權）人: 長春新產業光電技術有限公司
• 主分類號: H01S3/16
• 分類號: H01S3/16;H01S3/08;H01S3/11;H01S3/0941
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所 22210
• 代理人: 張偉

1.一種寬脈沖頻率調節范圍的半導體激光泵浦全固態激光器，包括：

半導體激光器（1），半導體激光器座（2），光學耦合鏡組（3），光學耦合鏡組座（4），反射腔鏡（5），反射腔鏡座（6），激光晶體（7），激光晶體座（8），被動調Q晶體（9），被動調Q晶體座（10），輸出腔鏡（13），輸出腔鏡座（14），基板（15），以及外殼（16）；所述半導體激光器（1）固定于半導體激光器座（2）上；光學耦合鏡組（3）固定于光學耦合鏡組座（4）中；反射腔鏡（5）固定在反射腔鏡座（6）內；激光晶體（7）固定在激光晶體座（8）內；被動調Q晶體（9）固定在被動調Q晶體座（10）內；輸出腔鏡（13）固定在輸出腔鏡座（14）內；輸出腔鏡座（14）均固定在基板（15）上，罩在外殼（16）中；輸出腔鏡（13）和反射腔鏡（5）對稱放置；

其特征在于，該激光器在被動調Q晶體（9）和輸出腔鏡（13）間的光路中，還設有可變衰減器（11）和可變衰減器旋轉驅動器（12），所述可變衰減器（11）固定在可變衰減器旋轉驅動器（12）上；

所述可變衰減器（11）和可變衰減器旋轉驅動器（12）可以使通過的激光的頻率調整為符合被動調Q晶體（9）的初始透過率的頻率。

2.根據權利要求1所述的寬脈沖頻率調節范圍的半導體激光泵浦全固態激光器，其特征在于，所述激光晶體（7）的靠近半導體激光器（1）的端面鍍膜為泵浦光和基頻光的增透膜系。

3.根據權利要求1或2所述的寬脈沖頻率調節范圍的半導體激光泵浦全固態激光器，其特征在于，所述可變衰減器（11）雙面都設有寬帶的多層增透膜，其中一面還鍍有NiCrFe寬帶減光膜。

4.根據權利要求3所述的寬脈沖頻率調節范圍的半導體激光泵浦全固態激光器，其特征在于，所述NiCrFe寬帶減光膜工作在可見光區和近紅外光區。

5.根據權利要求1所述的寬脈沖頻率調節范圍的半導體激光泵浦全固態激光器，其特征在于，所述可變衰減器（11）的基底材料為K9玻璃，雙面的平行度優于30秒。