[實用新型]調壓電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220498591.6 | 申請日: | 2012-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN202795116U | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周曉東;王曉娟;王紀云 | 申請(專利權)人: | 鄭州單點科技軟件有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 450016 河南省鄭州市經*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調壓 電路 | ||
1.一種調壓電路,其特征在于,包括第一NPN雙極型晶體管(T1)、第二NPN雙極型晶體管(T2)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、可調電阻(RW1)和肖特基勢壘二極管(Z1);所述第一NPN雙極型晶體管(T1)的基極通過第一電阻(R1)連接至電壓源(VDD)并通過可調電阻(RW1)連接至地(GND),源極接地(GND),集電極連接至肖特基勢壘二極管(Z1)的負極端、第二NPN雙極型晶體管(T2)的基極以及通過第二電阻(R2)連接至電壓源(VDD);肖特基勢壘二極管(Z1)的正極端接地;第二NPN雙極型晶體管(T2)的源極接地(GND),集電極作為輸出端(Vout)的負極。
2.根據權利要求1所述的調壓電路,其特征在于,所述第一NPN雙極型晶體管(T1)和第二NPN雙極型晶體管(T2)為參數相同的NMOS晶體管。
3.根據權利要求1所述的調壓電路,其特征在于,所述第一電阻(R1)和第二電阻(R2)為參數相同的電阻。
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