[實用新型]一種半導體器件有效
| 申請號： | 201220497900.8 | 申請日： | 2012-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN202948930U | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發明（設計）人： | 褚為利;朱陽軍;吳振興;盧爍今;田曉麗 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：?
基底，所述基底包括本體層；?
位于所述本體層表面內的主結和場限環，所述主結的深度大于所述場限環的深度。?
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述主結和場限環是在不同的光刻步驟中形成的。?
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述主結的深度比所述場限環的深度大2~10μm。?
4.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述主結和場限環的摻雜類型相同。?
5.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述主結的摻雜濃度大于、小于或等于場限環的摻雜濃度。?
6.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述場限環摻雜類型與本體層的摻雜類型相反。?
7.根據權利要求1-6任一項所述的半導體器件，其特征在于，還包括，位于所述半導體器件邊緣的場截止環，所述場限環位于所述半導體器件的主結和所述場截止環之間。?
8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，還包括：?
覆蓋在所述場限環表面和主結表面上的絕緣介質層；?
覆蓋在所述場限環表面和絕緣介質層表面上的場板，所述場板與所述場限環電性相連；?
覆蓋在所述主結表面上的電極，所述電極與所述主結電性相連。?
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述場板的材料為金屬或多晶硅。?
10.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，還包括，位于所述本體層背面的集電極。?
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