[實(shí)用新型]高基頻石英晶體諧振器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220494552.9
• 申請(qǐng)日: 2012-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN202841076U
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐勁;張幫嶺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 銅陵晶越電子有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/19
• 分類號(hào): H03H9/19;H03H9/02
• 代理公司: 合肥誠(chéng)興知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34109
• 代理人: 湯茂盛

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種高基頻石英晶體諧振器。?

背景技術(shù)

石英晶體諧振器是一種高精度和高穩(wěn)定度的頻率器件，被稱為數(shù)字電路的心臟。它的基本構(gòu)成是：一塊石英晶片，在晶片中間位置的兩個(gè)對(duì)應(yīng)面上涂覆金屬膜層作為電極，在每個(gè)電極上通過引帶連接到引線上，再加上封裝外殼組成。?

石英晶體的主要性能由晶片決定，其頻率由晶片的厚度決定，與晶片厚度成反比（AT切晶片，頻率=1660/晶片厚度）。傳統(tǒng)的石英晶片為平面結(jié)構(gòu)，主要加工方法為機(jī)械雙面研磨。由于加工工藝和晶片強(qiáng)度的原因，頻率范圍一般在1～40MHz（晶片厚度0.04mm）,最高也只能達(dá)到60MHz（晶片厚度0.027mm）。隨著電子電路小型化、高頻化，越來越多的場(chǎng)合需要用到60MHz以上的石英晶體，故傳統(tǒng)的晶片無法滿足高基頻產(chǎn)品要求。?

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種高基頻石英晶體諧振器，振蕩頻率可以提高至60MHz以上。?

本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案：包括絕緣底座、支架、晶片、外殼，絕緣底座下端固定有與支架電連接的插腳，支架上開有固定晶片的夾持孔，所述晶片呈正方形，其厚度為0.05～0.08mm，晶片兩側(cè)中間區(qū)域?qū)ΨQ設(shè)置呈盲孔狀圓形凹槽，使得凹槽底部形成振蕩區(qū)域，晶片的兩個(gè)對(duì)角通過夾持孔固定在支架上。?

上述振蕩區(qū)域可以通過離子刻蝕法形成，用該方法加工可以將振蕩區(qū)域的厚度加工至6～27μm，使得振蕩頻率可以提高至60～255MHz。?

上述振蕩區(qū)域的直徑可以為2.5mm。?

本實(shí)用新型通過離子刻蝕法形成可以在晶片中間形成厚度在6～27μm的振蕩區(qū)域，使得振蕩頻率可以提高至60～255MHz，可以滿足高基頻石英晶體諧振器的需要，并且還具有等效串聯(lián)阻抗小和Ts值大的優(yōu)點(diǎn)，可以滿足電子電路低消耗功率和可調(diào)性要求。?

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。?

圖2為圖1中晶片沿A－A線剖視圖。?

具體實(shí)施方式

由圖1所示，本實(shí)用新型包括絕緣底座1、支架2、晶片3、外殼5，絕緣底座1下端固定有與支架2電連接的插腳4，支架2上開有固定晶片3的夾持孔21，晶片3呈正方形，每邊長(zhǎng)度為5.0mm，其厚度為0.05?～0.08mm，晶片3的兩個(gè)對(duì)角通過夾持孔21固定在兩側(cè)支架2上。圖1中外殼5處于末封裝狀態(tài)。?

晶片結(jié)構(gòu)如圖2所示，晶片兩側(cè)中間區(qū)域?qū)ΨQ設(shè)置呈盲孔狀圓形凹槽33，?使得凹槽底部形成振蕩區(qū)域31。該振蕩區(qū)域31的直徑為2.5mm，厚度為6～27μm?。該振蕩區(qū)域通過在晶片兩側(cè)采用離子刻蝕法形成。振蕩區(qū)域31四周為正方形基體32。?

晶片3表面通過鍍膜形成的導(dǎo)電層（圖中末畫出），晶片3由夾持孔21垂直設(shè)置在支架2上并通過點(diǎn)膠方式與支架固連。晶片上的導(dǎo)電層通過點(diǎn)膠與支架2電連接。?