[實(shí)用新型]高基頻石英晶體諧振器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220493306.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-09-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202841073U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐勁;張幫嶺 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 銅陵晶越電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03H9/02 | 分類號(hào): | H03H9/02;H03H9/19 |
| 代理公司: | 合肥誠(chéng)興知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34109 | 代理人: | 湯茂盛 |
| 地址: | 244000 安徽省銅*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基頻 石英 晶體 諧振器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種高基頻石英晶體諧振器。?
背景技術(shù)
石英晶體諧振器是一種高精度和高穩(wěn)定度的頻率器件,被稱為數(shù)字電路的心臟。它的基本構(gòu)成是:一塊石英晶片,在晶片中間位置的兩個(gè)對(duì)應(yīng)面上涂覆金屬膜層作為電極,在每個(gè)電極上通過(guò)引帶連接到引線上,再加上封裝外殼組成。?
石英晶體的主要性能由晶片決定,其頻率由晶片的厚度決定,與晶片厚度成反比(AT切晶片,頻率=1660/晶片厚度)。傳統(tǒng)的石英晶片為平面結(jié)構(gòu),主要加工方法為機(jī)械雙面研磨。由于加工工藝和晶片強(qiáng)度的原因,頻率范圍一般在1~40MHz(晶片厚度0.04mm),最高也只能達(dá)到60MHz(晶片厚度0.027mm)。隨著電子電路小型化、高頻化,越來(lái)越多的場(chǎng)合需要用到60MHz以上的石英晶體,故傳統(tǒng)的晶片無(wú)法滿足高基頻產(chǎn)品要求。?
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種高基頻石英晶體諧振器,振蕩頻率可以提高至60MHz以上。?
本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案:包括絕緣底座、支架、晶片、外殼,絕緣底座下端固定有與支架電連接的插腳,支架上開(kāi)有固定晶片的平臺(tái),所述晶片呈長(zhǎng)方形薄片,厚度為0.05?~0.08mm,晶片兩側(cè)中間區(qū)域?qū)ΨQ設(shè)置呈盲孔狀圓形凹槽,?使得凹槽底部形成振蕩區(qū)域。?
上述振蕩區(qū)域可以通過(guò)離子刻蝕法形成,用該方法加工可以將振蕩區(qū)域的厚度加工至6~27μmm,使得振蕩頻率可以提高至60~255MHz。?
上述振蕩區(qū)域的直徑可以為2.5mm。?
本實(shí)用新型通過(guò)離子刻蝕法形成可以在晶片中間形成厚度在6~27μm的振蕩區(qū)域,使得振蕩頻率可以提高至60~255MHz,可以滿足高基頻石英晶體諧振器的需要,并且還具有等效串聯(lián)阻抗小和Ts值大的優(yōu)點(diǎn),可以滿足電子電路低消耗功率和可調(diào)性要求。?
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。?
圖2為圖1中晶片的俯視圖。?
圖3為圖2中沿A-A線剖視圖。?
具體實(shí)施方式
由圖1所示,本實(shí)用新型包括絕緣底座1、支架2、晶片3、外殼5,絕緣底座1下端固定有與支架2電連接的插腳4,支架2上設(shè)有固定晶片3的平臺(tái)21,晶片3呈長(zhǎng)方形薄片,厚度為0.05?~0.08mm,晶片3通過(guò)點(diǎn)膠方式固定在支架2的平臺(tái)21上。圖1中外殼5處于末封裝狀態(tài)。?
晶片結(jié)構(gòu)如圖2和圖3所示,晶片兩側(cè)中間區(qū)域?qū)ΨQ設(shè)置呈盲孔狀圓形凹槽33,?使得凹槽底部形成振蕩區(qū)域31。該振蕩區(qū)域31的直徑為2.5mm,厚度為6~27μm。該振蕩區(qū)域通過(guò)在晶片肉兩側(cè)采用離子刻蝕法形成。振蕩區(qū)域31四周為長(zhǎng)方形基體32,晶片3長(zhǎng)度有8.0mm和6.5mm兩種規(guī)格。?
晶片3表面通過(guò)鍍膜形成的導(dǎo)電層(圖中末畫(huà)出),晶片3由平臺(tái)21水平支撐在支架2上并通過(guò)點(diǎn)膠方式與支架固連。晶片上的導(dǎo)電層通過(guò)點(diǎn)膠與支架2電連接。?
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