[實用新型]高功率半導體激光器防止反射光損傷裝置有效
| 申請號： | 201220488638.0 | 申請日： | 2012-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN202856145U | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 王智勇;李慶軒;劉友強;秦文斌 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | H01S5/00 | 分類號： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335 | 代理人： | 陳圣清 |
| 地址： | 100022 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率 半導體激光器 防止 反射光 損傷 裝置 | ||
1.高功率半導體激光器防止反射光損傷裝置，其特征在于：所述裝置包括在半導體激光器的出射光路中依次放置的偏振器件和λ／4波片；半導體激光發光芯片出射的線偏振光束依次經過偏振器件和λ／4波片后照射到工件上，工件反射的部分光束沿原出射光路返回偏振器件，偏振器件阻止反射光反射到發光芯片上。
2.根據權利要求1所述高功率半導體激光器防止反射光損傷裝置，其特征在于：所述半導體激光器為單波長或多波長半導體激光器。
3.根據權利要求1所述高功率半導體激光器防止反射光損傷裝置，其特征在于：所述半導體激光器是半導體激光一維或二維陣列。
4.根據權利要求1所述高功率半導體激光器防止反射光損傷裝置，其特征在于：所述半導體激光器是單管半導體激光器。
5.根據權利要求1所述高功率半導體激光器防止反射光損傷裝置，其特征在于：所述偏振器件由起偏器和具有起偏作用的棱鏡構成。
6.根據權利要求1所述高功率半導體激光器防止反射光損傷裝置，其特征在于：所述λ／4波片是透射式波片或反射式波片。
7.根據權利要求1所述高功率半導體激光器防止反射光損傷裝置，其特征在于：所述偏振器件的透振方向與所述半導體激光器發出線偏振光的振動方向相同。
8.根據權利要求1所述高功率半導體激光器防止反射光損傷裝置，其特征在于：所述偏振器件與半導體激光器激光傳輸方向的夾角為90度，所述λ/4波片與半導體激光器輸出光路光軸的夾角取決于λ/4波片的特性。
9.根據權利要求1所述高功率半導體激光器防止反射光損傷裝置，其特征在于：所述線偏振光束包括P線偏振光和S線偏振光。
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