[實用新型]電平移動電路有效
| 申請號： | 201220485351.2 | 申請日： | 2012-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN202798655U | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發明（設計）人： | 王曉娟;余力;周曉東 | 申請（專利權）人： | 鄭州單點科技軟件有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 450016 河南省鄭州市經*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電平 移動 電路 | ||
1.一種電平移動電路，其特征在于，包括第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第四PMOS管（P4）、第五PMOS管（P5）、第六PMOS管（P6）、第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）和第四NMOS管（N4）；
所述第一PMOS管（P1）的源極連接電壓源（VDD），漏極連接第二PMOS管（P2）的源極，柵極與第四PMOS管（P4）的漏極、第二NMOS管（N2）的漏極、第五PMOS管（P5）的柵極和第三NMOS管（N3）的柵極連接；第二PMOS管（P2）的柵極連接第一NMOS管（N1）的柵極和第二同相信號端（TURE2），漏極與第一NMOS管（N1）的漏極、第六PMOS管（P6）的柵極、第四NMOS管（N4）的柵極和第三PMOS管（P3）的柵極連接；第三PMOS管（P3）的源極和柵極分別連接電壓源（VDD）和第四PMOS管（P4）的源極；第四PMOS管（P4）的漏極連接第二NMOS管（N2）的漏極，柵極連接第二NMOS管（N2）的柵極和第一方向信號端（BAR1）；第五PMOS管（P5）的源極連接電壓源（VDD），漏極連接第三NMOS管（N3）的漏極和第二反相信號端（BAR1）；第六PMOS管（P6）的漏極連接第四NMOS管（N4）的漏極和第一同相信號端（TURE1）；
所述第一NMOS管（N1）的源極、第二NMOS管（N2）的源極、第三NMOS管（N3）的源極和第四NMOS管（N4）的源極均接地（GND）。
2.根據權利要求1所述的電平移動電路，其特征在于，所述第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第四PMOS管（P4）、第五PMOS管（P5）和第六PMOS管（P6）為參數相同的PMOS管。
3.根據權利要求1所述的電平移動電路，其特征在于，所述第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）和第四NMOS管（N4）為參數相同的NMOS管。
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