[實用新型]過流保護電路

有效

• 申請號: 201220485331.5
• 申請日: 2012-09-21
• 公開（公告）號: CN202797925U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 余力;周曉東;王曉娟
• 申請（專利權）人: 鄭州單點科技軟件有限公司
• 主分類號: H02H9/02
• 分類號: H02H9/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種過流保護電路，其特征在于，包括第一差分放大器（AMP1）、第二差分放大器（AMP2）、第一PMOS晶體管（P1）、第二PMOS晶體管（P2）、第三PMOS晶體管（P3）、NMOS晶體管（N1）、第一電阻（R1）和第二電阻（R2）；

電壓源（VDD）連接至第一PMOS晶體管（P1）的源極、第二PMOS晶體管（P2）的源極和第三PMOS晶體管（P3）的源極；電壓輸出端（Vout）連接至第二差分放大器（AMP2）的負極輸入端和第三PMOS晶體管（P3）的漏極，并通過第二電阻（R2）接地（GND）；第二PMOS晶體管（P2）的柵極連接至第一PMOS晶體管（P1）的漏極和第三PMOS晶體管（P3）的柵極，漏極連接至NMOS晶體管（N1）的漏極和第二差分放大器（AMP2）的正極輸入端；NMOS晶體管（N1）的源極連接至第一差分放大器（AMP1）的負極輸入端并通過第一電阻（R1）接地（GND），柵極連接至第二差分放大器（AMP2）的輸出端；第一差分放大器的正極輸入端連接至參考電壓輸入端（Vref），輸出端連接至第一PMOS晶體管（P1）的柵極。

2.根據權利要求1所述的過流保護電路，其特征在于，所述第一差分放大器（AMP1）和第二差分放大器（AMP2）為參數相同的差分放大器。

3.根據權利要求1所述的過流保護電路，其特征在于，所述第二PMOS晶體管（P2）和第三PMOS晶體管（P3）為參數相同的PMOS晶體管。