[實(shí)用新型]調(diào)壓電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220485329.8
• 申請(qǐng)日: 2012-09-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202795115U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周曉東;王紀(jì)云;王曉娟
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鄭州單點(diǎn)科技軟件有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G05F1/56
• 分類(lèi)號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種調(diào)壓電路，其特征在于，包括NMOS晶體管（Q1）、NPN雙極型晶體管（T1）、第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、可調(diào)電阻（RW1）和肖特基勢(shì)壘二極管（Z1）；所述NMOS晶體管（Q1）的柵極通過(guò)第一電阻（R1）連接至電壓源（VDD）并通過(guò)可調(diào)電阻（RW1）連接至地（GND），源極接地（GND），漏極連接至肖特基勢(shì)壘二極管（Z1）的負(fù)極端、NPN雙極型晶體管（T1）的基極以及通過(guò)第二電阻（R2）連接至電壓源（VDD）；肖特基勢(shì)壘二極管（Z1）的正極端接地；NPN雙極型晶體管（T1）的源極接地（GND），集電極作為輸出端（Vout）的負(fù)極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)壓電路，其特征在于，所述第一電阻（R1）和第二電阻（R2）為參數(shù)相同的電阻。