[實用新型]一種采用無石蠟掩膜主柵結(jié)構(gòu)的SE電池的改進結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220483452.6 | 申請日: | 2012-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN202772145U | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李質(zhì)磊;程曦;夏偉;何亮;周靜濤;郭天宇;包崇斌;張鳳鳴 | 申請(專利權(quán))人: | 天威新能源控股有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 廖曾 |
| 地址: | 610000 四川省成都*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 采用 石蠟 掩膜主柵 結(jié)構(gòu) se 電池 改進 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種采用無石蠟掩膜主柵結(jié)構(gòu)的SE電池的改進結(jié)構(gòu),屬于電池制造領域。
背景技術
SE電池的全稱叫選擇性發(fā)射極電池,其電池結(jié)構(gòu)是在柵線下面(非受光區(qū)域)實現(xiàn)良好的電極接觸特性,在非柵線覆蓋的地方(受光區(qū)域)實現(xiàn)高的短波響應。SE電池的制備方法很多,有激光摻雜法,有二次擴散法,硅墨法,石蠟掩膜法等,其中石蠟掩膜法的制備工藝如下:
(1)制絨硅片形成光陷阱表面;
(2)在絨面上擴散摻雜形成PN結(jié);?
(3)在擴散面上打印(或印刷)上起掩蔽作用的石蠟掩膜;
(4)利用化學液去除硅片周邊和背面多余的PN結(jié);
(5)在石蠟的掩蔽作用下,利用化學液對硅片表面進行刻蝕;
(6)去除石蠟掩膜;
(7)磷硅玻璃的去除;
(8)鍍氮化硅膜;
(9)印刷背面電極和背場;
(10)在石蠟掩膜對應位置處印刷銀電極;
(11)燒結(jié),測試電性能;
其中步驟(3)中打印(或印刷)的石蠟掩膜圖形和步驟(10)中正面銀電極印刷的圖形是一樣的,打印(或印刷)圖形中主要分細柵線和主柵線兩種。
由于石蠟打印(或印刷)機臺和絲印機臺都有一定的工作精度,為了確保良好的電極接觸性能,正面銀電極印刷一定要印刷到打印的石蠟掩膜圖形之內(nèi),且石蠟掩膜圖形較印刷正面銀電極圖形稍大。
掩膜法制備SE電池雖然在效率上較常規(guī)電池有0.3%左右的提升,但其較常規(guī)電池的生產(chǎn)工藝多了打印(或印刷)石蠟和去除石蠟掩膜的工序,這兩個工序中石蠟成本占比較大,在保證轉(zhuǎn)換效率的情況下,盡可能的減少石蠟消耗量是石蠟掩膜法制備SE電池的工藝重點。石蠟耗量的減少有以下的一些途徑:可以通過減少細柵的線寬來達到,石蠟掩膜圖形的細柵寬度較印刷的正面銀電極寬250?um左右,目前已經(jīng)縮減到200?um;可以通過調(diào)整石蠟掩膜打印的圖形分辨率來達到,分辨率越低,打印同樣的石蠟圖形,消耗的石蠟越少。減少石蠟掩膜圖形細柵線寬有一個限度,也就是說石蠟掩膜圖形的細柵最小寬度只能是印刷的銀電極寬度加上機臺的工作精度。石蠟掩膜圖形細柵的寬度太小,正面印刷的細柵銀電極將不能完全印刷在對應的打印石蠟的地方,?從而引起接觸電阻升高,填充因子降低,從而對光電轉(zhuǎn)換效率就有一定的影響。同樣的,石蠟打印分辨率的調(diào)整也有一定的限度,分辨率過低導致打印的石蠟掩膜致密度降低,片子在經(jīng)過后續(xù)的化學槽時,石蠟就不能起到完全的掩蔽作用,石蠟下方也可能被化學液體腐蝕,從而對光電轉(zhuǎn)換效率就有一定的影響。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術的缺點和不足,提供一種采用無石蠟掩膜主柵結(jié)構(gòu)的SE電池的改進結(jié)構(gòu),該改進結(jié)構(gòu)不但可以實現(xiàn)SE電池結(jié)構(gòu),還可以大量的減少石蠟耗量,光電轉(zhuǎn)換效率不變,直接節(jié)省石蠟耗量10%以上。
本實用新型的目的通過下述技術方案實現(xiàn):一種采用無石蠟掩膜主柵結(jié)構(gòu)的SE電池的改進結(jié)構(gòu),包括硅片,所述硅片的表面外凸形成凸臺,凸臺包括回字形凸臺和若干條相互平行的直線凸臺,直線凸臺設置在回字形凸臺形成的密封區(qū)域內(nèi)且直線凸臺的兩端均與回字形凸臺連通;所述硅片的表面上設置有銀電極,銀電極設置在凸臺頂面上,且銀電極同時設置在回字形凸臺形成的密封區(qū)域內(nèi)部。
進一步地,所述直線凸臺中每兩根構(gòu)成凸臺單元,且凸臺單元平行設置在硅片上,相鄰的凸臺單元之間的距離大于凸臺單元內(nèi)部的直線凸臺的距離。
進一步地,所述設置在回字形凸臺形成的密封區(qū)域內(nèi)部的銀電極與所有的直線凸臺連接。
進一步地,所述銀電極覆蓋的直線凸臺設置有缺口,且缺口的尺寸小于銀電極的尺寸。設置缺口也減少了直線凸臺的面積,對石蠟的使用量減少,實現(xiàn)了成本的降低。
進一步地,所述銀電極的數(shù)量為兩塊。銀電極區(qū)分為兩部分,其中一部分貼合在直線凸臺上,另一部分垂直于直線凸臺,且同時貼合在直線凸臺和硅片上。具體的數(shù)量不做限制,根據(jù)使用情況設定。
綜上所述,本實用新型的有益效果是:該改進結(jié)構(gòu)不但可以實現(xiàn)SE電池結(jié)構(gòu),還可以大量的減少石蠟耗量,光電轉(zhuǎn)換效率不變,直接節(jié)省石蠟耗量10%以上。
附圖說明
圖1是實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖中標記及相應的零部件名稱:1—硅片;2—回字形凸臺;3—直線凸臺;4—凸臺單元;5—銀電極。
具體實施方式
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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