[實用新型]一種破碎多晶硅的裝置有效
| 申請號： | 201220475720.X | 申請日： | 2012-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN202845134U | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 劉桂林;銀波;胡光健;周慧 | 申請（專利權）人： | 新特能源股份有限公司 |
| 主分類號： | B02C19/00 | 分類號： | B02C19/00 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知識產權代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 830011 新疆維吾爾自治*** | 國省代碼： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 破碎 多晶 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種破碎多晶硅的裝置，其特征在于：該裝置包括高壓變電器（B）、高壓整流器（G）、充電電容（C）、隔離間隔開關（K）、水池（F）、以及浸在水池（F）中的第一電極（1）和第二電極（2），其中：
所述高壓變電器（B）的一次繞組接市電，二次繞組的第一連接端依次與高壓整流器（G）、隔離間隔開關（K）和第一電極（1）連接，二次繞組的第二連接端接地、并與第二電極（2）連接，充電電容（C）連接在高壓整流器（G）和隔離間隔開關（K）的公共端與第二繞組和第二電極（2）的公共端之間。
2.根據權利要求1所述的破碎多晶硅的裝置，其特征在于：所述隔離間隔開關（K）的放電間隙為10-50mm，所述水池（F）的放電間隙為30-80mm。
3.根據權利要求1或2所述的破碎多晶硅的裝置，其特征在于：所述隔離間隔開關（K）的擊穿電壓為30-100kV。
4.根據權利要求1所述的破碎多晶硅的裝置，其特征在于：所述高壓整流器（G）與高壓變電器（B）之間串接有充電電阻（R）。
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