[實用新型]一種垂直結構的LED芯片

有效

• 申請號: 201220474992.8
• 申請日: 2012-09-18
• 公開（公告）號: CN202772174U
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 徐廣忠
• 申請（專利權）人: 泰州普吉光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域??

本實用新型屬于LED技術領域，尤其涉及一種垂直結構的LED芯片。

背景技術??

發光二極管廣泛應用于儀表指示燈、大尺寸LED背光源、電子廣告牌等領域。

在生長LED外延層時，主要選擇藍寶石作為襯底，但是藍寶石的電導率和熱導率較差，導致LED的制作工藝復雜，散熱差，壽命短，限值高亮度LED的發展。

實用新型內容???

本實用新型的目的在于提供一種垂直結構的LED芯片，旨在解決現有技術中藍寶石的電導率和熱導率較差，導致LED的制作工藝復雜，散熱差，壽命短，限值高亮度LED的發展的問題。

本實用新型是這樣實現的，一種垂直結構的LED芯片，所述垂直結構的LED芯片具體包括：

高熱導率的支撐襯底；

設置在所述支撐襯底上表面的鍵合材料層；

涂覆在所述鍵合材料層上的反射層；

所述發射層上面設有透明導電層；

所述透明導電層上表面依次設置p-GaN層、有源層、n-GaN層和歐姆接觸電極。

本實用新型提供的LED芯片采用垂直結構，該垂直結構將藍寶石襯底逐步剝離，制作工藝簡單，提升了LED的散熱效果，同時增長了器壽命。

附圖說明??

圖1是本實用新型提供的垂直結構的LED芯片的結構示意圖。

具體實施方式??

為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本實用新型。

圖1示出了本實用新型提供的垂直結構的LED芯片的結構示意圖，為了便于說明，圖中僅給出了與本實用新型相關的部分。

本實用新型提供的垂直結構的LED芯片具體包括：

高熱導率的支撐襯底1；

設置在所述支撐襯底1上表面的鍵合材料層2；

涂覆在所述鍵合材料層2上的反射層3；

所述發射層3上面設有透明導電層4；

所述透明導電層4上表面依次設置p-GaN層5、有源層6、n-GaN層7和歐姆接觸電極8。

在本實用新型中，上述鍵合材料層2為導電聚合物，所述反射層3為鋁材料，歐姆接觸電極8又分為多層，在此不再贅述，但不用以限制本實用新型。

本實用新型提供的LED芯片采用垂直結構，該垂直結構將藍寶石襯底逐步剝離，制作工藝簡單，提升了LED的散熱效果，同時增長了器壽命。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。