[實用新型]比較器的前級差分放大電路有效
| 申請號: | 201220472766.6 | 申請日: | 2012-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN202798591U | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 王紀云;余力;王曉娟 | 申請(專利權)人: | 鄭州單點科技軟件有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/45 | 分類號: | H03F3/45 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 450016 河南省鄭州市經*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 比較 級差 放大 電路 | ||
1.一種比較器的前級差分放大電路,其特征在于,該電路的第一輸出端(OUT1)和第二輸出端(OUT2)連接比較器的兩個輸入端,所述前級差分放大電路包括:第一PMOS晶體管(P1)、第二PMOS晶體管(P2)、第三PMOS晶體管(P3)、第四PMOS晶體管(P4)、第一NMOS晶體管(N1)、第二NMOS晶體管(N2)、第三NMOS晶體管(N3)、第四NMOS晶體管(N4)、第五NMOS晶體管(N5)和第六NMOS晶體管(N6);
所述第一PMOS晶體管(P1)的源極連接電壓源(VDD),柵極連接第二PMOS晶體管(P2)的柵極,漏極連接第一NMOS晶體管(N1)的漏極;所述第二PMOS晶體管(P2)的源極連接電壓源(VDD),漏極連接第二輸出端(OUT2)、第三NMOS晶體管(N3)的漏極和第四NMOS晶體管(N4)的漏極;所述第三PMOS晶體管(P3)的源極連接電壓源(VDD),柵極連接第四PMOS晶體管(P4)的柵極,漏極連接第二NMOS晶體管(N2)的漏極;所述第四PMOS晶體管(P4)的源極連接電壓源(VDD),漏極連接第一輸出端(OUT1)、第五NMOS晶體管(N5)的漏極和第六NMOS晶體管(N6)的漏極;
所述第一NMOS晶體管(N1)的柵極連接第一輸入端(N1),源極通過恒流源(I)接地;所述第二NMOS晶體管(N2)的柵極連接第二輸入端(N2),源極通過恒流源(I)接地;所述第三NMOS晶體管(N3)的柵極連接第五NMOS晶體管(N5)的柵極,源極接地;所述第四NMOS晶體管(N4)的柵極連接第六NMOS晶體管(N6)的柵極,源極接地;第五NMOS晶體管(N5)的源極和第六NMOS晶體管(N6)的源極均接地。
2.根據權利要求1所述的比較器的前級差分放大電路,其特征在于,所述的第一PMOS晶體管(P1)、第二PMOS晶體管(P2)、第三PMOS晶體管(P3)和第四PMOS晶體管(P4)為參數相同的PMOS晶體管。
3.根據權利要求1所述的比較器的前級差分放大電路,其特征在于,所述的第一NMOS晶體管(N1)和第二NMOS晶體管(N2)為參數相同的NMOS晶體管。
4.根據權利要求1所述的比較器的前級差分放大電路,其特征在于,所述的第三NMOS晶體管(N3)、第四NMOS晶體管(N4)、第五NMOS晶體管(N5)和第六NMOS晶體管(N6)為參數相同的NMOS晶體管。
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