[實用新型]一種高性能半導體器件有效

申請號：	201220468753.1	申請日：	2012-09-14
公開（公告）號：	CN202816933U	公開（公告）日：	2013-03-20
發明（設計）人：	羅艷玲	申請（專利權）人：	杰群電子科技（東莞）有限公司
主分類號：	H01L23/532	分類號：	H01L23/532
代理公司：	東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215	代理人：	雷利平
地址：	523750 廣東省東莞市黃江鎮裕元工***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種性能半導體器件
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【權利要求書】：

1.一種高性能半導體器件，包括電路基板（1）和管腳（2），其特征在于：還包括分別設置于對應的電路基板（1）上的MOS芯片（3）和IC芯片（4），所述MOS芯片（3）通過銅線（5）分別與管腳（2）和電路基板（1）電連接，所述IC芯片（4）通過金線（6）分別與MOS芯片（3）、管腳（2）和電路基板（1）電連接。

2.如權利要求1所述的一種高性能半導體器件，其特征在于：還包括引線框架（7），所述管腳（2）和電路基板（1）設置于引線框架（7）的焊接區。

3.如權利要求2所述的一種高性能半導體器件，其特征在于：所述引線框架（7）的焊接區對應的外部設置有散熱片（8）。

4.如權利要求1所述的一種高性能半導體器件，其特征在于：所述銅線（5）和金線（6）表面均包覆有包覆層。

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