[實用新型]像素單元、陣列基板以及液晶顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220468514.6
• 申請日: 2012-09-13
• 公開（公告）號: CN202794784U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張洪林;趙合彬;王丹;邵喜斌
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;鄧伯英

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素單元、陣列基板以及液晶顯示裝置。?

背景技術(shù)

液晶顯示裝置已經(jīng)成為目前最重要的顯示裝置類型之一。液晶顯示裝置的顯示以像素(或稱亞像素)為單位，每個像素單元中包括像素電極和公共電極，二者間可產(chǎn)生電場以驅(qū)動該像素單元中的液晶扭轉(zhuǎn)，從而改變透過液晶面板的光的量，以使液晶顯示裝置顯示所需內(nèi)容。?

高級超維場轉(zhuǎn)換(AD?S，Advanced?Super?Dimension?Switch)模式液晶顯示裝置是液晶顯示裝置中的一種，通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-LCD（Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管液晶顯示器）產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（push?Mura）等優(yōu)點。?

如圖2所示，其像素單元中，板狀的公共電極2位于陣列基板9上，其上覆蓋有絕緣層7(如二氧化硅層)，絕緣層7上有像素電極，像素電極由多個間隔排列的像素電極條11組成，像素電極條11與公共電極2間可產(chǎn)生多維電場，從而驅(qū)動液晶運動。其中，如圖1所示，為改善色偏，一個像素單元中的像素電極條11可分為兩組，每組中的像素電極條11相互平行，而兩組像素電極條11間成一定角度，這一設(shè)計又稱“楔形電極”。當(dāng)然，完整的像素?單元中還應(yīng)包括薄膜晶體管等其他結(jié)構(gòu)，在此不再逐一描述。?

在高級超維場轉(zhuǎn)換模式液晶顯示裝置中，由于公共電極2與像素電極間的距離近且相對面積大，從而導(dǎo)致了其存儲電容(Cst)過大。存儲電容本是進(jìn)行液晶顯示所必要的特性，用于在未對像素電極施加電壓時保持像素單元中的電場，從而使顯示畫面穩(wěn)定。但如果存儲電容過大，則其一方面會導(dǎo)致存儲電容充電緩慢，引起沿柵極線方向的顯示錯誤(H-block，水平阻滯)，另一方面導(dǎo)致存儲電容放電緩慢，產(chǎn)生殘像(Line-IS，線殘像)；在顯示裝置刷頻率較高時這些問題就更嚴(yán)重。通常，存儲電容過大在特定的檢測畫面下表現(xiàn)為畫面偏綠(Greenish)。?

如圖3所示，為解決存儲電容過大的問題，另一種高級超維場轉(zhuǎn)換模式液晶顯示裝置的像素單元中，公共電極也由多個間隔排列的公共電極條21組成，且公共電極條21與和其對應(yīng)的像素電極條11(或者說位于其上方的像素電極條11)平行，且正好分布在像素電極條11的間隔處，這種設(shè)計通過減小像素電極與公共電極的正對面積降低了存儲電容。但是，這種像素單元對于其制造時的成型精度(主要指光刻時的對位精度)提出了很高的要求，只要像素電極與公共電極的相對位置稍有偏差，就會導(dǎo)致像素電極與公共電極間的正對面積和電場分布產(chǎn)生很大變化，從而引起存儲電容不穩(wěn)定、電場分布不均勻等問題。?

實用新型內(nèi)容

本實用新型所要解決的技術(shù)問題包括，現(xiàn)有技術(shù)中高級超維場轉(zhuǎn)換模式液晶顯示裝置的像素單元存儲電容過大或不穩(wěn)定、成型精度要求高，針對該問題，本實用新型實施方式提供一種存儲電容低且穩(wěn)定，成型精度要求不高的像素單元。?

解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種像素單元，包括被絕緣層覆蓋的第一電極、所述絕緣層，以及位于所述絕緣層上的第二電極；所述第一電極包括至少一組相互平行且間隔排布的第一電極條，所述第二電極包括至少一組相互平行且間隔排布的?第二電極條；所述第一電極條與位于其上方的第二電極條間的夾角大于0度且小于等于90度。?

上述像素單元中，由于公共電極與像素電極均為“電極條”的形式，因此它們的正對面積較小，存儲電容也較小，從而可避免H-block、Line-IS、Greenish等不良；同時，由于公共電極條與像素電極條間具有夾角(或者說它們是相對傾斜的)，故當(dāng)成型精度較低時，公共電極條與像素電極條間只是相對位置發(fā)生移動，但二者間總的正對面積、電場分布等基本不會變化，因此這種像素單元的存儲電容穩(wěn)定、電場分布均勻。?

優(yōu)選的是，所述第一電極條與位于其上方的第二電極條間的夾角大于等于10度且小于等于90度。?

優(yōu)選的是，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。?

進(jìn)一步優(yōu)選的是，各所述第一電極條的寬度相等，各組第一電極條中相鄰的第一電極條間的間距相等。?