[實用新型]一種分裂柵型溝槽功率MOS器件有效
| 申請號： | 201220467212.7 | 申請日： | 2012-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN202816955U | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 王穎;胡海帆;焦文利 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工程大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 分裂 溝槽 功率 mos 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種分裂柵型溝槽功率MOS器件，其特征在于：有源區中溝槽結構同終端結構連通，有源區中的臺面是兩端為半圓形的長條結構，半圓形的直徑同臺面寬度相同。
2.根據權利要求1所述的一種分裂柵型溝槽功率MOS器件，其特征在于：所述分裂柵型溝槽功率MOS器件的終端保護環和分裂柵型溝槽功率MOS器件的元胞結構在同一層光刻板。
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