[實用新型]參考電壓產生電路

有效

• 申請號: 201220465573.8
• 申請日: 2012-09-13
• 公開（公告）號: CN202795114U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 吳勇;桑園
• 申請（專利權）人: 鄭州單點科技軟件有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種參考電壓產生電路，其特征在于，該電路包括：P型的第一MOS管（P1）、第二MOS管（P2）、第三MOS管（P3），第二電阻（R2），第四電阻（R4），第五電阻（R5）和運算放大器；

所述第一MOS管（P1）、第二MOS管（P2）和第三MOS管（P3）的柵極均與運算放大器的輸出端連接，源極均與電源電壓（VDD）連接；第一MOS管（P1）的漏極通過第二電阻（R2）接地，第二MOS管（P2）的漏極通過第四電阻（R4）接地，第三MOS管（P3）的漏極通過第五電阻（R5）接地；運算放大器的兩個輸入端分別連接第一MOS管（P1）的漏極和第二MOS管（P2）的漏極；電壓輸出端（VOUT）連接第三MOS管（P3）的漏極。

2.根據權利要求1所述的參考電壓產生電路，其特征在于，第一MOS管（P1）、第二MOS管（P2）和第三MOS管（P3）為參數相同的MOS管。

3.根據權利要求1所述的參考電壓產生電路，其特征在于，第二電阻（R2）、第四電阻（R4）和第五電阻（R5）為參數相同的電阻。

4.根據權利要求1、2或3所述的參考電壓產生電路，其特征在于，還包括第一電阻（R1）、第三電阻（R3）、第一二極管（D1）和第二二極管（D2）；所述第一二極管（D1）的負極端接地，正極端通過第一電阻（R1）連接至第一MOS管（P1）的漏極；所述第二二極管（D2）的負極端接地，正極端通過第三電阻（R3）連接至第二MOS管（P2）的漏極。

5.根據權利要求4所述的參考電壓產生電路，其特征在于，所述第一電阻（R1）和第三電阻（R3）為參數相同的電阻。

6.根據權利要求4所述的參考電壓產生電路，其特征在于，所述第一二極管（D1）和第二二極管（D2）為參數相同的二極管。