[實用新型]具有標記點的石蠟掩膜對準調試假片有效
| 申請號： | 201220458243.6 | 申請日： | 2012-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN202749407U | 公開（公告）日： | 2013-02-20 |
| 發明（設計）人： | 夏偉;程曦;馬熠隆;段甜健;包崇彬;李質磊;盛雯婷;張鳳鳴 | 申請（專利權）人： | 天威新能源控股有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/68 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 謝敏 |
| 地址： | 610200 四川省成都*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 標記 石蠟 對準 調試 | ||
【權利要求書】：
1.具有標記點的石蠟掩膜對準調試假片，包括方形的假片本體（1），假片本體（1）上設有掩膜圖形（2），其特征在于：所述假片本體（1）上還設有標記點（3）。
2.根據權利要求1所述的具有標記點的石蠟掩膜對準調試假片，其特征在于：所述標記點（3）位于掩膜圖形（2）外。
3.根據權利要求2所述的具有標記點的石蠟掩膜對準調試假片，其特征在于：所述標記點（3）位于假片本體（1）的任意一個頂角處。
4.根據權利要求1所述的具有標記點的石蠟掩膜對準調試假片，其特征在于：所述標記點（3）位于掩膜圖形（2）內。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
