[實用新型]一種等離子體增強化學氣相沉積設備

有效

• 申請號: 201220455211.0
• 申請日: 2012-09-07
• 公開（公告）號: CN202898532U
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 葛芳芳;李艷玲;黃峰
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 劉誠午

1.一種等離子體增強化學氣相沉積設備，包括射頻電源、鍍膜室以及與鍍膜室連通的輸氣管，其特征在于，所述射頻電源與鍍膜室內的電極通過射頻電流傳輸裝置連接，所述射頻電流傳輸裝置包括設有冷卻介質進口和冷卻介質出口的導電管，所述導電管一端與射頻電源連接，另一端與鍍膜室內的電極連接。

2.根據權利要求1所述的等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于，所述射頻電流傳輸裝置與所述輸氣管分開設置，所述導電管的外壁設有絕緣層。

3.根據權利要求1所述的等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于，所述輸氣管的外徑小于所述導電管的內徑，所述輸氣管置于所述導電管內，所述輸氣管伸入所述導電管的一端與所述鍍膜室內的電極連通，所述輸氣管的另一端從所述導電管伸出；所述導電管的外壁包裹有絕緣層。

4.根據權利要求3所述的等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于，所述輸氣管從所述導電管伸出的一端包裹有絕緣層。

5.根據權利要求3所述的等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于，所述導電管的軸線與所述輸氣管的軸線重合。

6.根據權利要求1~5任一項所述的等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于，所述導電管上的冷卻介質進口位于該導電管的底部，所述導電管上的冷卻介質出口位于該導電管的頂部。

7.根據權利要求1~5任一項所述的等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于，所述輸氣管為不銹鋼管。

8.根據權利要求1~5任一項所述的等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于，所述導電管為銅導管或者銀導管。

9.根據權利要求2~4任一項所述的等離子體增強化學氣相沉積設備，其特征在于，所述絕緣層為聚四氟乙烯絕緣層或者陶瓷絕緣層。