[實用新型]一種氮化鎵發光二極管結構

有效

• 申請號: 201220452807.5
• 申請日: 2012-09-07
• 公開（公告）號: CN202797056U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 廖家明
• 申請（專利權）人: 福建省中達光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/14
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 李寧;唐紹烈

1.一種氮化鎵發光二極管結構，其特征在于：由襯底、第一型摻染半導體層、第一電極、發光層、電子阻擋層、電子阻擋披覆層、第二型摻染半導層以及第二電極所組成，第一型摻染半導層由氮化鎵組成，發光層由氮化銦鎵組成，電子阻擋層由氮化鋁鎵組成，電子阻擋披覆層由本征氮化鎵組成，其成長厚度為5nm～80nm,第二型摻染半導層由氮化鎵組成，第一型摻染半導體層、發光層、電子阻擋層、電子阻擋披覆層、第二型摻染半導層以及第二電極為依次堆棧于襯底之上，發光層覆蓋部份第一型摻染半導層，第一電極置于未被發光層所覆蓋的第一型摻染半導層之上。

2.如權利要求1所述的一種氮化鎵發光二極管結構，其特征在于：襯底的材質是硅、藍寶石、碳化硅或氮化鎵，第一型摻染半導體層為n型摻染半導體層，第二型摻染半導體層為p型摻染半導體層。