[實用新型]一種薄膜燒蝕傳感器有效
| 申請號： | 201220445148.2 | 申請日： | 2012-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN202814904U | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 景濤;王玉明;程文進;王棟;何峰;任偉 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十八研究所 |
| 主分類號： | G01N27/04 | 分類號： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113 | 代理人： | 馬強 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜 傳感器 | ||
1.一種薄膜燒蝕傳感器，其特征在于，所述薄膜燒蝕傳感器（1）包括基底（2），設于基底（2）上的過渡層（3），設于過渡層（3）上的燒蝕電阻（4）；所述燒蝕電阻（4）上設有保護膜（6）；所述燒蝕電阻（4）是由兩個以上的電阻構成的電阻序列；所述電阻包括引線焊接盤區（5）；所述引線焊接盤區（5）通過引線（10）與轉接板（13）連接。
2.如權利要求1所述的薄膜燒蝕傳感器，其特征在于，所述基底（2）上設有高度調節孔（9）。
3.如權利要求2所述的薄膜燒蝕傳感器，其特征在于，所述高度調節孔（9）為1.6mm×10mm?通孔。
4.如權利要求1所述的薄膜燒蝕傳感器，其特征在于，所述基底（2）材料為硅片、Al2O3陶瓷、硼硅玻璃中的至少一種；所述過渡層（3）材料為Ta2O5；所述保護膜（6）為電介質材料。
5.如權利要求1所述的薄膜燒蝕傳感器，其特征在于，所述基底（2）直徑為50mm～150mm，厚度0.5mm～1mm；所述過渡層（3）厚度為0.05μm～0.1μm；所述燒蝕電阻（4）厚度為0.2μm～0.5μm；所述保護膜（6）厚度為0.1μm~0.2μm。
6.如權利要求1所述的薄膜燒蝕傳感器，其特征在于，所述燒蝕電阻（4）材料為Au。
7.如權利要求1所述的薄膜燒蝕傳感器，其特征在于，所述燒蝕電阻（4）的多列電阻彼此間隔≤500μm。
8.如權利要求1所述的薄膜燒蝕傳感器，其特征在于，所述保護膜（6）材料為SiO2。?
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