[實用新型]一種光場探測元件有效
| 申請號： | 201220443596.9 | 申請日： | 2012-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN202749404U | 公開（公告）日： | 2013-02-20 |
| 發明（設計）人： | 王輝;俞崇祺;黃旭 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學 |
| 主分類號： | H01L31/09 | 分類號： | H01L31/09;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 探測 元件 | ||
1.一種光場探測元件，其特征在于，包括：
半導體襯底；
形成于所述半導體襯底上的氧化物層；
形成在所述氧化物層上的金屬薄膜層；
分別設置在所述金屬薄膜層兩端的第一電極和第二電極；
分別與所述第一電極和第二電極連接的第一電極引線和第二電極引線。
2.根據權利要求1所述的光場探測元件，其特征在于：所述金屬薄膜層的厚度為1nm~50nm。
3.根據權利要求2所述的光場探測元件，其特征在于：所述金屬薄膜層的厚度范圍為4.0nm~9.0nm。
4.根據權利要求1、2或3所述的光場探測元件，其特征在于：所述金屬薄膜層包括單一金屬或金屬合金。
5.根據權利要求4所述的光場探測元件，其特征在于：所述單一金屬為Ti、Co或Cu。
6.根據權利要求1所述的光場探測元件，其特征在于：所述氧化物層為氧化物半導體層或金屬氧化物層。
7.根據權利要求6所述的光場探測元件，其特征在于：所述氧化物半導體層為SiO2氧化物層或NiO氧化物層；所述金屬氧化物層為TiO2氧化物層。
8.根據權利要求1、6或7所述的光場探測元件，其特征在于：所述氧化物層的厚度范圍為0.1nm~138nm。
9.根據權利要求8所述的光場探測元件，其特征在于：所述氧化物層的厚度范圍為1.0nm~1.5nm。
10.根據權利要求1所述的光場探測元件，其特征在于：所述的第一電極和第二電極采用金、銀、鋁、銅、鉑、銦或錫金金屬材料，制成一個點或是一條線。
11.根據權利要求1所述的光場探測元件，其特征在于：還包括形成在所述金屬薄膜層上的擋光層，所述擋光層的一端設有透光孔。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
