[實用新型]石英方坩堝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220439501.6
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號: CN202809001U
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王楠;黎志欣;王軍;郭大偉;冷先鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京運通科技股份有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及光伏材料制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種石英方坩堝。

背景技術(shù)

多晶硅鑄錠用于生產(chǎn)多晶硅片，多晶硅片則用于生產(chǎn)太陽能電池。

現(xiàn)有的多晶硅鑄錠制備方法為：將一定數(shù)量的多晶硅料裝入石英方坩堝之后，將石英方坩堝放置在多晶硅鑄錠爐的爐膛中央，再在真空狀態(tài)和保護氣氛下對石英方坩堝中的多晶硅料進行加熱、熔化、定向長晶、退火、冷卻等工藝處理后形成定向凝固的多晶硅鑄錠。

上述的石英方坩堝主要用于在G5及G6生長工藝中制備多晶硅鑄錠。G5生長工藝可以將多晶硅鑄錠切割為25(5*5)塊156*156mm(長*寬)的標準小硅錠，G6生長工藝可以將多晶硅鑄錠切割為36(6*6)塊156*156mm(長*寬)的標準小硅錠。

隨著市場發(fā)展的需求，多晶硅鑄錠的生長工藝技術(shù)已經(jīng)逐漸發(fā)展為G7生長工藝，需要把多晶硅鑄錠切割為49(7*7)塊156*156mm(長*寬)的標準小硅錠，而現(xiàn)有的石英方坩堝不能滿足G7生長工藝的需求。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的實施例提供一種石英方坩堝，可以滿足多晶硅鑄錠G7生長工藝的需求。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案：

一種石英方坩堝，具有正方形的底壁及四個側(cè)壁，所述側(cè)壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的內(nèi)外表面均為正方形，所述底壁內(nèi)表面的邊長為1130mm至1190mm，所述側(cè)壁內(nèi)表面的高度為420mm至600mm。

優(yōu)選地，所述側(cè)壁的頂端至底端厚度不同并逐漸增加，所述側(cè)壁的頂端厚度為10mm至30mm，所述側(cè)壁的底端厚度為20mm至40mm。

優(yōu)選地，所述側(cè)壁的頂端至底端厚度相同，所述側(cè)壁的厚度為20mm至35mm。

優(yōu)選地，所述底壁與所述側(cè)壁之間的夾角及相鄰的所述側(cè)壁之間的夾角為圓倒角。

本實用新型實施例提供的石英方坩堝中，由于底壁11內(nèi)表面的邊長a為1130mm至1190mm，且側(cè)壁22內(nèi)表面的高度b為420mm至600mm，因此可以容納更多的硅晶體，從而能夠生產(chǎn)出更大的多晶硅鑄錠；另外，由于1130mm和1190mm均大于7*156mm，因此該多晶硅鑄錠能被切割為高度為420mm至600mm的49(7*7)塊156*156mm(長*寬)的標準小硅錠，滿足G7生長工藝的需求。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例提供的一種石英方坩堝的示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的另一種石英方坩堝的示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

如圖1所示，為本實用新型一種石英方坩堝，具有正方形的底壁11及四個側(cè)壁12，側(cè)壁12的外表面垂直于底壁11，底壁11的內(nèi)外表面均為正方形，底壁11內(nèi)表面的邊長a為1130mm至1190mm，側(cè)壁12內(nèi)表面的高度b為420mm至600mm。

本實用新型實施例提供的石英方坩堝中，由于底壁11內(nèi)表面的邊長a為1130mm至1190mm，且側(cè)壁22內(nèi)表面的高度b為420mm至600mm，因此可以容納更多的硅晶體，從而能夠生產(chǎn)出更大的多晶硅鑄錠；另外，由于1130mm和1190mm均大于7*156mm，因此該多晶硅鑄錠能被切割為高度為420mm至600mm的49(7*7)塊156*156mm(長*寬)的標準小硅錠，滿足G7生長工藝的需求。

現(xiàn)有技術(shù)中的石英方坩堝生產(chǎn)的標準小硅錠數(shù)量最多為36個，而本實用新型實施例提供的石英方坩堝能夠一次性生產(chǎn)490個標準小硅錠，大幅度提供高了生產(chǎn)效率，并且，生產(chǎn)成本相應(yīng)降低。

同時，不與所述石英方坩堝接觸的中間部位的標準小硅錠數(shù)量大大增加，減少了所述石英方坩堝中所含雜質(zhì)對所述標準小硅錠的污染，提高了所述標準小硅錠的平均質(zhì)量，從而提高了所述硅片的平均質(zhì)量。