[實用新型]一種直拉法制備單晶硅所使用的坩堝

有效

• 申請號: 201220439464.9
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號: CN202744654U
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發明（設計）人: 周儉;李德建;陳昌林;陳銳;陳劍春;付雁清;薛東;李福龍
• 申請（專利權）人: 上海杰姆斯電子材料有限公司
• 主分類號: C30B15/10
• 分類號: C30B15/10;C30B29/06
• 代理公司: 北京元中知識產權代理有限責任公司 11223
• 代理人: 王明霞

1.一種直拉法制備單晶硅所使用的坩堝，包括由底部與側壁組成的坩堝本體，其特征在于：所述的坩堝為分段式坩堝結構，坩堝本體自上到下至少分成兩段，包括上層的碳-碳復合結構的側壁和下層的石墨結構的底部，側壁上均勻分布有多個導熱孔。

2.根據權利要求1所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的坩堝，其特征在于：所述的導熱孔直徑為5～20mm，導熱孔邊界之間的距離根據不同的孔密度為10～50mm。

3.根據權利要求1或2所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的坩堝，其特征在于：所述側壁上均勻分布所述導熱孔的區域為距離側壁上沿2～6cm，向下垂直方向的寬度為16～25cm，該區域側壁的內表面平行于坩堝的中心軸。

4.根據權利要求3所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的坩堝，其特征在于：所述側壁上均勻分布所述導熱孔的區域為距離側壁上沿3cm，向下垂直方向的寬度為20cm。

5.根據權利要求1所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的坩堝，其特征在于：所述的坩堝為兩段式坩堝結構，包括上層的碳-碳復合結構的側壁和下層的石墨結構的底部。

6.根據權利要求1所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的坩堝，其特征在于：所述的坩堝為三段式坩堝結構，包括上層的碳-碳復合結構的側壁和下層的石墨結構的底部，兩層之間設有一連接段，連接段為碳-碳復合結構或石墨結構，連接段的內壁為連接上層側壁內表面和下層底部內表面的弧形面。

7.根據權利要求1所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的坩堝，其特征在于：所述的坩堝本體包括限定內部容積的內底面、內側面以及限定傳熱面積的外底面、外側面，其中，內側面與坩堝的中心軸平行，內底面呈球弧狀，弧度半徑為R1，內底面與內側面之間為球弧形連接，弧度半徑為R2，所述的R1大于或等于R2。

8.根據權利要求1所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的坩堝，其特征在于：所述的碳-碳復合結構的側壁厚度為10mm～17mm。

9.根據權利要求1所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的坩堝，其特征在于：所述的坩堝本體底部厚度與側壁厚度的比值范圍為1：3～5：1。

10.根據權利要求9所述的一種直拉法制備單晶硅所使用的坩堝，其特征在于：所述的坩堝本體底部厚度與側壁厚度的比值范圍為1：1～3：1。