[實用新型]異質結疊層薄膜太陽電池

有效

• 申請號: 201220439448.X
• 申請日: 2012-08-31
• 公開（公告）號: CN202957277U
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 莊春泉;王建強;董德慶;李偉
• 申請（專利權）人: 四川漢能光伏有限公司
• 主分類號: H01L31/0725
• 分類號: H01L31/0725;H01L31/0336
• 代理公司: 北京中海智圣知識產權代理有限公司 11282
• 代理人: 徐金偉

1.一種異質結疊層薄膜太陽電池，包括玻璃基板、透明導電膜層、p型非晶硅層、本征非晶硅層、n型非晶硅層、n型硫化鎘薄膜層、緩沖Buffer層和金屬層背電極，其特征在于：還包括p型碲化鎘薄膜層，所述p型碲化鎘薄膜層位于所述n型非晶硅層和所述n型硫化鎘薄膜層之間。?

2.根據權利要求1所述的異質結疊層薄膜太陽電池，其特征在于：所述異質結疊層薄膜太陽電池從下到上依次為：玻璃基板、透明導電膜層、p型非晶硅層、本征非晶硅層、n型非晶硅層、p型碲化鎘薄膜層、n型硫化鎘薄膜層、緩沖Buffer層和金屬層背電極。?

3.根據權利要求1所述的異質結疊層薄膜太陽電池，其特征在于：所述異質結疊層薄膜太陽電池從下到上依次為：玻璃基板、金屬層背電極、緩沖Buffer層、n型硫化鎘薄膜層、p型碲化鎘薄膜層、p型非晶硅層、本征非晶硅層、n型非晶硅層和透明導電膜層。?

4.根據權利要求1至3中任一項所述的異質結疊層薄膜太陽電池，其特征在于：所述P型非晶硅層的厚度為25-40nm；所述本征非晶硅層的厚度為150-200nm；所述n型非晶硅層的厚度為10-20nm。?

5.根據權利要求1至3中任一項所述的異質結疊層薄膜太陽電池，其特征在于：所述p型碲化鎘薄膜層的厚度為2um-5um。?

6.根據權利要求4所述的異質結疊層薄膜太陽電池，其特征在于：所述p型碲化鎘薄膜層的厚度為2um-5um。?

7.根據權利要求1至3中任一項所述的異質結疊層薄膜太陽電池，其特征在于：所述n型硫化鎘薄膜層的厚度為0.1um-0.2um。?

8.根據權利要求4所述的異質結疊層薄膜太陽電池，其特征在于：所述n型硫化鎘薄膜層的厚度為0.1um-0.2um。?

9.根據權利要求5所述的異質結疊層薄膜太陽電池，其特征在于：所述n型硫化鎘薄膜層的厚度為0.1um-0.2um。?

10.根據權利要求1至3中任一項所述的異質結疊層薄膜太陽電池，其特征在于：所述緩沖Buffer層由ZnO層和AZO層組成。?