[實用新型]OLED封裝結構及發光器件有效
| 申請號: | 201220439198.X | 申請日: | 2012-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN202749419U | 公開(公告)日: | 2013-02-20 |
| 發明(設計)人: | 朱儒暉;于軍勝 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅建民;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 封裝 結構 發光 器件 | ||
技術領域
本實用新型涉及有機電致發光顯示器制造領域,特別涉及一種OLED封裝結構及發光器件。?
背景技術
有機電致發光器件(Organic?Light-Emitting?Diode,以下簡稱:OLED)因具備主動發光、溫度特性好、功耗小、響應快、可彎曲、超輕薄和成本低等優點,而被稱之為第三代夢幻顯示技術。目前,在全球廠商持續資金投入與技術研發的推動下,OLED平板顯示技術正趨向于量產技術日益成熟與市場需求高速增長階段。?
OLED按照出光方向可以分為三種,即:底發射OLED、頂發射OLED與雙面發射OLED。底發射OLED是指光從基板射出的OLED,雙面發射OLED是指光同時從基板和器件頂部射出的OLED,頂發射OLED是指光從器件頂部射出的OLED。其中,頂發射OLED由于不受基板是否透光的影響,可有效提高顯示面板的開口率,拓展了基板上TFT電路的設計,豐富了電極材料的選擇,有利于器件與TFT電路的集成。由于OLED對水汽和氧氣非常敏感,滲入OLED內的水汽和氧氣會腐蝕有機功能層及電極材料,嚴重影響器件壽命,因此為了延長器件壽命以及提高器件穩定性,需要對OLED進行封裝處理以形成OLED封裝結構,具體地,可在OLED上形成一阻隔層,該阻隔層可包括無機絕緣層和有機絕緣層,從而達到避免水汽和氧氣滲入OLED的目的。?
頂發射OLED可以提高器件效率、窄化光譜和提高色純度,但往往具有微腔效應。微腔效應會使OLED的電致發光光譜隨觀測角度變化,導致OLED出現觀測角度依賴性問題。?
實用新型內容
本實用新型提供一種OLED封裝結構及發光器件,用以降低OLED因微腔效應引起的觀測角度依賴性。?
為實現上述目的,本實用新型提供了一種OLED封裝結構,包括:襯底基板、OLED、阻隔層和光學調制層,所述OLED形成于所述襯底基板上,所述阻隔層和所述光學調制層交替形成于所述OLED之上。?
可選地,所述阻隔層和所述光學調制層按照交替周期數交替形成于所述OLED之上,且在每個交替周期內所述光學調制層位于所述阻隔層之上。?
可選地,所述交替周期數為大于或等于1且小于或等于10的正整數。?
可選地,所述光學調制層包括:網格層和位于所述網格層之上的填充層。?
可選地,所述網格層由依次斜向生長的金屬/介質/金屬三層納米柱薄膜構成,所述金屬包括:銀、鋁或者銀鋁混合物,所述介質包括:二氧化硅或者氟化鎂。?
可選地,所述填充層由斜向上生長的氧化物納米柱薄膜構成,所述填充層的材料包括:二氧化鈦、三氧化二鋁、氧化鋅、氧化鎂或者氧化鋯。?
可選地,所述OLED包括:頂發射OLED或者雙面發射OLED。?
本實用新型實施例還提供一種發光器件,包括上述任一所述的OLED封裝結構。?
本實用新型具有以下有益效果:?
本實用新型提供的OLED封裝結構及發光器件技術方案中,阻隔層和光學調制層交替形成于OLED之上,光學調制層增強了OLED的散射出光能力并改變了部分光線的傳播方向,從而降低了OLED因微腔效應引起的觀測角度依賴性。?
附圖說明
圖1為本實用新型實施例一提供的一種OLED封裝結構的結構示意圖;?
圖2為斜角入射沉積技術的應用示意圖;?
圖3為納米柱狀結構的示意圖;?
圖4為圖1中網格層的局部放大剖視圖;?
圖5為網格層介質光線傳播的示意圖;?
圖6為填充層介質光線散射傳播的示意圖;?
圖7為本實用新型實施例二提供的一種OLED封裝結構的制造方法的流程圖;?
圖8為本實用新型實施例三提供的一種OLED封裝結構的制造方法的流程圖;?
圖9為本實用新型實施例四提供的一種OLED封裝結構的制造方法的流程圖;?
圖10為本實用新型實施例五提供的一種OLED封裝結構的制造方法的流程圖。?
具體實施方式
為使本領域的技術人員更好地理解本實用新型的技術方案,下面結合附圖對本實用新型提供的OLED封裝結構及發光器件進行詳細描述。?
圖1為本實用新型實施例一提供的一種OLED封裝結構的結構示意圖,?
如圖1所示,該OLED封裝結構可包括:襯底基板4、OLED?1、阻隔層2和光學調制層3,阻隔層2和光學調制層3交替形成于OLED?1上。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





