[實用新型]一種多晶硅太陽能電池有效
| 申請號: | 201220436325.0 | 申請日: | 2012-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN202736936U | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發明(設計)人: | 吳海蓮;范錫聰;吳姣姣 | 申請(專利權)人: | 海南英利新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/028 | 分類號: | H01L31/028;H01L31/0368;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 570000 海南*** | 國省代碼: | 海南;66 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多晶 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池技術領域,更具體地說,涉及一種多晶硅太陽能電池。
背景技術
隨著能源危機的日益凸顯,開發利用新能源成為當今能源領域研究的主要課題。由于太陽能具有無污染、無地域性限制、取之不竭等優點,研究太陽能發電成為開發利用新能源的主要方向。晶體硅太陽能電池,即由晶體硅片制備的太陽能電池是當今太陽能電池行業的主流產品。
多晶硅太陽能電池是一種常見的晶體硅太陽能電池,目前光伏行業主要采用摻硼的P型多晶硅片(摻雜硼元素的多晶硅片)為基底制備多晶硅太陽能電池。所述摻硼的P型多晶硅片經過制絨、擴散制結、邊緣刻蝕、去磷硅玻璃等工藝制備成一個電池本體,所述電池本體再經過印刷電極、燒結處理制備為一個太陽能電池。
雖然摻硼的多晶硅太陽能電池制作工藝較為簡單,光電轉化效率較高,但是其存在較大的功率衰減,即所述太陽能電池在光照條件下,電池的輸出功率會不斷的衰減并最終達到一個穩定功率。現有的多晶硅太陽能電池的功率衰減值在1%左右,其功率衰減較大,從而降低了太陽能電池的實際功率輸出。因此,如何降低多晶硅太陽能電池的功率衰減是當前亟待解決的問題。
實用新型內容
為解決上述技術問題,本實用新型提供一種多晶硅太陽能電池,所述多晶硅太陽能電池功率衰減小,能夠保證太陽能電池具有較大的功率輸出。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:
一種多晶硅太陽能電池,所述太陽能電池包括:
P型多晶硅片制備的電池本體;
設置在所述電池本體受光面上的多條相互平行的細柵線;
設置在所述細柵線上方的多條相互平行的主柵線,所述主柵線與所述細柵線垂直;
其中,所述細柵線的線寬為50μm-60μm;所述細柵線的條數不少于70。
優選的,上述太陽能電池中,所述細柵線的條數為70-75。
優選的,上述太陽能電池中,所述電池本體的受光面的表面方塊電阻為70Ω/sq-75Ω/sq。
優選的,上述太陽能電池中,所述電池本體厚度為180μm-200μm,邊長為156mm×156mm。
從上述技術方案可以看出,本實用新型所提供的太陽能電池包括:P型多晶硅片制備的電池本體;設置在所述電池本體受光面上的多條相互平行的細柵線;設置在所述細柵線上方的多條相互平行的主柵線,所述主柵線與所述細柵線垂直;其中,所述細柵線的線寬為50μm-60μm;所述細柵線的條數不少于70。
本實用新型所提供的太陽能電池,將細柵線的線寬設置為50μm-60μm,可使得細柵線的條數增加到70以上。采用較小的線寬,在電池本體受光面上印刷較多的細柵線,縮短了細柵線之間的距離,減小了細柵線之間電流橫向傳輸的距離,進而減小了太陽能電池的電阻。所以,所述結構的太陽能電池可由硼含量在3×1015atoms/cm3-4.5×1015atoms/cm3的P型多晶硅片制備而成,在使得太陽能電池具有較低功率衰減的同時保證了太陽能電池的光電轉換效率。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本申請實施例所提供的一種多晶硅太陽能電池的制作方法流程圖;
圖2為本實用新型實施例提供的一種多晶硅太陽能電池的受光面柵線分布圖。
具體實施方式
正如背景技術部分所述,現有的多晶硅太陽能電池存在較大的功率衰減,從而導致太陽能電池的有效輸出功率較小。研究表明,在硼摻雜的多晶硅太陽能電池中,硼會與太陽能電池中的間隙氧原子形成硼氧復合體,所述復合體會復合少子,從而降低少子的壽命,所述復合體越多,少子的壽命降低的幅度越大,電池功率衰減就越明顯。
一般可通過降低硼元素和/或氧元素的含量來降低太陽能電池中硼氧復合體的含量,以降低太陽能電池的功率衰減。但是,在多晶硅鑄錠時,由于鑄錠工藝條件的要求,采用的是二氧化硅石英坩堝,這樣不可避免的會引入氧元素,即氧元素的含量不易控制。所以只能通過降低硼元素的含量來減少太陽電池中硼氧復合體的含量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





