[實用新型]一種具有溝槽源極場板的Trench MOSFET晶體管有效
| 申請號： | 201220433435.1 | 申請日： | 2012-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN202758892U | 公開（公告）日： | 2013-02-27 |
| 發明（設計）人： | 王新;朱懷宇 | 申請（專利權）人： | 成都瑞芯電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/417 | 分類號： | H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 譚新民 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新區*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 溝槽 源極場板 trench mosfet 晶體管 | ||
1.一種具有溝槽源極場板的Trench?MOSFET晶體管，其特征在于：從下往上依次包括漏極（213）、襯底（200）、漂移區（201）及源極（212）；
所述漂移區（201）設有若干深溝槽（202），深溝槽（202）內設有溝槽源極場板（204），所述溝槽源極場板（204）兩側的深溝槽（202）內設有厚氧化層（203），溝槽源極場板（204）兩側的厚氧化層（203）上各設有一個柵極（206），柵極（206）與深溝槽（202）的內壁之間設有柵極氧化層（205）；
所述相鄰深溝槽（202）之間設有體區（207），所述體區（207）的上方設有兩個源區（208）和一個歐姆接觸區（211），兩個源區（208）分別位于歐姆接觸區（211）的兩側；
所述深溝槽（202）的上方設有隔離氧化層（209），隔離氧化層（209）上設有若干接觸孔（210），歐姆接觸區（211）通過接觸孔（210）與源極（212）連通。
2.根據權利要求1所述的一種具有溝槽源極場板的Trench?MOSFET晶體管，其特征在于：所述溝槽源極場板（204）的頂部與深溝槽（202）的上沿相平。
3.根據權利要求1所述的一種具有溝槽源極場板的Trench?MOSFET晶體管，其特征在于：所述柵極（206）的頂部與深溝槽（202）的上沿相平。
4.根據權利要求1所述的一種具有溝槽源極場板的Trench?MOSFET晶體管，其特征在于：所述柵極（206）、柵極氧化層（205）及體區（207）的最底端均位于深溝槽（202）的中部以上。
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