[實用新型]襯底支撐結構、含有上述襯底支撐結構的反應腔室

有效

• 申請號: 201220429481.4
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN202766617U
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 黃允文
• 申請（專利權）人: 光達光電設備科技（嘉興）有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

技術領域

本實用新型涉及化學氣相沉積(CVD)技術領域，特別涉及襯底支撐結構和含有上述襯底支撐結構的反應腔室。

背景技術

MOCVD(Metal-Organic?Chemical?Vapor?Deposition)是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種化學氣相外延沉積工藝。它以III族、II族元素的有機化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長的源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行沉積工藝，生長各種III-V族、II-VI族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。

下面對現有的化學氣相沉積工藝的原理進行說明。具體地，請參考圖1所示的現有的MOCVD設備的反應腔室的結構示意圖。

反應腔室10內形成有相對設置的噴淋頭11和襯底支撐盤12。所述噴淋頭11內可以設置多個通孔，所述噴淋頭11用于提供反應氣體。所述襯底支撐盤12的材質通常為石墨，所述襯底支撐盤12的正面(即所述襯底支撐盤12的朝向噴淋頭11一側的表面)用于放置襯底121。所述襯底支撐盤12的背面(即所述襯底支撐盤12的遠離所述噴淋頭11一側的表面)下方還形成有加熱單元13，所述加熱單元13對襯底支撐盤12進行加熱。為了保證襯底121的受熱均勻性和沉積的外延材料層的均勻性，所述襯底支撐盤12在MOCVD工藝過程中會以一定的速度進行圍繞一軸線進行旋轉運動，所述軸線為襯底支撐盤12的正面的中垂線。在MOCVD工藝結束后，所述襯底支撐盤12連同上方的襯底121從反應腔室10中取出。

在實際中發現，現有的襯底支撐盤在轉動過程中不穩定，尤其是在轉動的起始和結束階段，襯底支撐盤容易飛出去。

實用新型內容

本實用新型實施例解決的問題是提供了襯底支撐結構，解決了放置襯底的襯底支撐盤在轉動過程中容易飛出去、轉動不穩定的問題。

為了解決上述問題，本實用新型提供一種襯底支撐結構，包括：襯底支撐盤和圓筒狀旋轉體，所述圓筒狀旋轉體豎直設置，所述襯底支撐盤支撐于所述圓筒狀旋轉體的頂端；所述圓筒狀旋轉體的頂端具有支撐件突起或支撐件凹槽，所述襯底支撐盤具有與對應所述支撐件突起或支撐件凹槽相對應的支撐盤凹槽或支撐盤突起，所述支撐件突起與支撐盤凹槽之間能夠進行相對運動或所述支撐件凹槽與支撐盤突起之間能夠進行相對運動，將所述襯底支撐盤鎖緊于所述圓筒狀旋轉體。

可選地，所述支撐件突起或支撐件凹槽包括第一支撐件突起或支撐件凹槽和第二支撐件突起或支撐件凹槽，所述第一支撐件突起或支撐件凹槽可以相對所述第二支撐件突起或支撐件凹槽運動，所述第一支撐件突起或支撐件凹槽相對所述第二支撐件突起或支撐件凹槽運動沿第一方向運動時，使得所述襯底支撐盤鎖緊于所述圓筒狀旋轉體；所述第一支撐件突起或支撐件凹槽相對所述第二支撐件突起或支撐件凹槽沿與第一方向相反的第二方向運動時，使得所述襯底支撐盤從所述圓筒狀旋轉體松開。

可選地，所述支撐盤凹槽或支撐盤突起固定于所述襯底支撐盤上。

可選地，所述第一支撐件突起或支撐件凹槽與所述支撐盤凹槽或支撐盤突起構成第一卡合結構，所述第一卡合結構在所述第一支撐件突起或支撐件凹槽相對所述襯底支撐盤沿第一方向運動時卡合；所述第二支撐件突起或支撐件凹槽與所述襯底支撐盤上的支撐盤凹槽或支撐盤突起構成第二卡合結構，所述第二卡合結構在所述第二支撐盤突起或支撐盤凹槽相對所述襯底支撐盤沿第二方向運動時卡合。

可選地，所述第一支撐件突起或支撐件凹槽為第一支撐件突起，所述第一支撐件突起具有位于第一方向一側的第一側面，所述第一側面向第一方向傾斜。

可選地，所述第二支撐件突起或支撐件凹槽為第二支撐件突起，所述第二支撐件突起具有位于第二方向一側的第二側面，所述第二側面向第二方向傾斜。

可選地，所述第一支撐件突起或第二支撐件突起的形狀為三角形、菱形或梯形。

可選地，所述第一支撐件突起或支撐件凹槽為第一支撐件凹槽，所述第一支撐件凹槽具有位于第一方向一側的第一側面，所述第一側面向第二方向傾斜。

可選地，所述第二支撐件突起或支撐件凹槽為第二支撐件凹槽，所述第二支撐件凹槽具有位于第二方向一側的第二側面，所述第二側面向第一方向傾斜。

可選地，所述第一支撐件凹槽或第二支撐件凹槽的形狀為三角形、菱形或梯形。