[實(shí)用新型]一種陣列基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220429375.6
• 申請日: 2012-08-27
• 公開（公告）號: CN202735644U
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 封賓;林鴻濤;王章濤;邵喜斌
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/02
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板。

背景技術(shù)

目前TFT-LCD（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管液晶顯示器）存在多種電場顯示模式，如ADS、IPS（In-Plane?Switching，共平面切換）、VA等，不同的顯示模式具有不同的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，因此不僅在產(chǎn)品品質(zhì)方面存在顯著不同，在陣列基板制備工藝中也存在較大差異。

圖1所示為IPS顯示模式的陣列基板結(jié)構(gòu)，包括襯底基板11、像素電極12和公共電極13，其像素電12和公共電極13在同一平面上交替排列，形成圖1中箭頭所示方向的電場；基于圖1所示的結(jié)構(gòu)，IPS顯示模式的陣列基板采用4次構(gòu)圖（即4mask）工藝制作，具體為：柵線和柵極構(gòu)圖，有源層、數(shù)據(jù)線和源漏電極構(gòu)圖，過孔構(gòu)圖，像素電極和公共電極構(gòu)圖；即IPS顯示模式的陣列基板中，像素電極和公共電極在同一構(gòu)圖工藝中形成。

圖2所示為ADS顯示模式的陣列基板結(jié)構(gòu)，包括襯底基板21、像素電極22和公共電極23，其像素電極22與公共電極23為上下層設(shè)置關(guān)系，如圖2所示，像素電極22在上層，由具有狹縫結(jié)構(gòu)的透明電極圖案構(gòu)成，像素電極22與公共電極23之間設(shè)有絕緣層，公共電極23在下層，至少在對應(yīng)像素電極22中的狹縫位置設(shè)置公共電極23，形成如圖2中箭頭所示方向的電場；基于圖2所示的結(jié)構(gòu)，ADS顯示模式的陣列基板采用1+4次構(gòu)圖（即1+4mask）工藝制作，該制作方法與IPS顯示模式陣列基板所采用的4次構(gòu)圖工藝相比，需要分別形成像素電極和公共電極，因此，ADS顯示模式陣列基板采用的1+4次構(gòu)圖工藝比IPS顯示模式陣列基板采用的4次構(gòu)圖工藝多出1次構(gòu)圖步驟。

根據(jù)圖1和圖2可知，ADS顯示模式陣列基板與IPS顯示模式陣列基板相比具有如下特點(diǎn)：ADS顯示模式陣列基板的像素電極和公共電極形成的電場可控區(qū)域更大一些，因此，在透過率、亮度和對比度等方面ADS顯示模式比IPS顯示模式好；但是ADS顯示模式陣列基板中的像素電極和公共電極存在較大的交疊區(qū)域，會形成較大的存儲電容，引起Greenish（畫面發(fā)綠）和線殘像等不良品質(zhì)缺陷，并且這種缺陷會隨著面板的大尺寸化越來越明顯；此外，ADS顯示模式陣列基板采用的1+4次構(gòu)圖工藝，相比IPS顯示模式陣列基板采用的4次構(gòu)圖工藝更繁瑣，生產(chǎn)成本也會更高一些。

綜上所述，ADS顯示模式陣列基板和IPS顯示模式陣列基板各有優(yōu)缺點(diǎn)，因此，生產(chǎn)能夠綜合以上二者優(yōu)點(diǎn)的新型邊緣電場顯示模式陣列基板成為重要的研究課題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提供一種陣列基板，用以形成一種新型邊緣電場顯示模式的陣列基板，該陣列基板在具有較好的電場可控區(qū)域的同時(shí)，避免了像素電極和公共電極之間存儲電容的問題，提高了產(chǎn)品品質(zhì)。

本實(shí)用新型包括：

一種陣列基板，包括多個(gè)像素單元，所述像素單元包括像素電極、公共電極和絕緣部，

所述絕緣部包括多個(gè)第一過孔；

所述公共電極設(shè)置于所述第一過孔的底表面，所述像素電極設(shè)置于所述絕緣部的表面，或

所述公共電極設(shè)置于所述絕緣部的表面，所述像素電極設(shè)置于所述第一過孔的底表面。

本實(shí)用新型提供一種陣列基板，一方面使像素電極與公共電極設(shè)置于不同平面上，從而形成具有較好可控區(qū)域的液晶分子旋轉(zhuǎn)電場，達(dá)到提高液晶顯示裝置的透過率、亮度和對比度的目的，另一方面使像素電極和公共電極不存在交疊區(qū)域，避免了因像素電極和公共電極存在較大的交疊區(qū)域而導(dǎo)致形成較大存儲電容的問題，從而可以避免因較大存儲電容導(dǎo)致的Greenish和線殘像等品質(zhì)性不良問題，提高了產(chǎn)品良率。

附圖說明

圖1為背景技術(shù)中IPS顯示模式的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為背景技術(shù)中ADS顯示模式的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3（1）為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種陣列基板平面示意圖；

圖3（2）為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種陣列基板剖面示意圖；

圖3（3）為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種陣列基板剖面示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；

圖5（1）為本實(shí)用新型實(shí)施例三進(jìn)行第一構(gòu)圖工藝后基板的平面示意圖和剖面示意圖；

圖5（2）為本實(shí)用新型實(shí)施例三進(jìn)行第二構(gòu)圖工藝后基板的平面示意圖和剖面示意圖；

圖5（3）為本實(shí)用新型實(shí)施例三進(jìn)行第三構(gòu)圖工藝后基板的平面示意圖和剖面示意圖；