[實(shí)用新型]單晶爐及其排氣管道有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220428524.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202766661U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 白劍銘;王曉雷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英利能源(中國(guó))有限公司 |
| 主分類號(hào): | C30B35/00 | 分類號(hào): | C30B35/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏曉波 |
| 地址: | 071051 河*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單晶爐 及其 排氣 管道 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說(shuō),涉及一種排氣管道,本實(shí)用新型還涉及一種具有上述排氣管道的單晶爐。
背景技術(shù)
晶體硅太陽(yáng)能電池組件的主要生產(chǎn)原料包括單晶硅和多晶硅,其中單晶硅又以較高的光電轉(zhuǎn)換效率而備受人們的青睞。
單晶硅普遍采用直拉法,以單晶爐為主要設(shè)備來(lái)進(jìn)行生產(chǎn)。因?yàn)閱尉Ч柙谏a(chǎn)的過(guò)程中對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的潔凈程度具有一定的要求,而單晶爐每次生產(chǎn)完單晶硅后,都會(huì)有大量的雜質(zhì)附著在單晶爐上,所以在單晶硅每次生產(chǎn)完成以后,都需要對(duì)單晶爐進(jìn)行清理,這個(gè)過(guò)程稱為清爐。
單晶爐的排氣管道是雜質(zhì)附著較多的一個(gè)部件,所以清除排氣管道中的雜質(zhì)是整個(gè)清爐過(guò)程中非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。單晶爐的排氣管道中存在單晶硅生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的易燃?xì)怏w,例如一氧化硅、磷等的氣態(tài)物質(zhì),而且排氣管道中的溫度較高,大約在400℃左右,易燃?xì)怏w遇到空氣后就會(huì)發(fā)生自燃,如果操作人員直接對(duì)排氣管道進(jìn)行清理,則非常容易發(fā)生爆炸,而對(duì)生命財(cái)產(chǎn)安全造成一定的威脅,所以在對(duì)排氣管道進(jìn)行清理前,一般需要先打開(kāi)排氣管道上的通氣孔,使空氣緩慢進(jìn)入到排氣管道中,進(jìn)而將排氣管道中的易燃?xì)怏w氧化,然后再進(jìn)行清理操作。
在現(xiàn)有技術(shù)中,一些型號(hào)的單晶爐的排氣管道上并未設(shè)置通氣孔,例如美國(guó)KAYEX公司生產(chǎn)的單晶爐,而為了避免在對(duì)排氣管道進(jìn)行清理的過(guò)程中發(fā)生爆炸,就需要使空氣進(jìn)入到排氣管道中,目前人們普遍采取的辦法是將排氣管道的一段管道拆下,使得排氣管道上具有開(kāi)口,使形成的兩個(gè)開(kāi)口起到通氣孔的作用,讓空氣能夠進(jìn)入到排氣管道中。此種方法雖然實(shí)現(xiàn)了使空氣進(jìn)入到排氣管道中的目的,但是,因?yàn)樵谂艢夤艿赖南路皆O(shè)置有單晶爐的電機(jī)和傳動(dòng)皮帶等底部部件,由于易燃?xì)怏w進(jìn)入到空氣中發(fā)生自燃,隨著易燃?xì)怏w從排氣管道面向下方的開(kāi)口處掉落的固體雜質(zhì)也會(huì)燃燒,從而對(duì)電機(jī)和傳動(dòng)皮帶造成損害,給單晶爐的正常運(yùn)行帶來(lái)了極大的安全隱患。此外,在每次清理的過(guò)程中都需要對(duì)排氣管道進(jìn)行拆卸、安裝,大大增大了清理排氣管道的復(fù)雜程度,延長(zhǎng)了清理時(shí)間,降低了清理效率,而且也影響了單晶爐的生產(chǎn)效率。
綜上所述,如何提供一種排氣管道,以實(shí)現(xiàn)在對(duì)排氣管道進(jìn)行清理的過(guò)程中,避免對(duì)位于其下方的電機(jī)和傳動(dòng)皮帶等底部部件造成損害,進(jìn)而減小單晶爐運(yùn)行的安全隱患,是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于此,本實(shí)用新型提供了一種排氣管道,在對(duì)排氣管道進(jìn)行清理的過(guò)程中,避免了掉落的雜質(zhì)對(duì)位于排氣管道下方的底部部件造成損害,進(jìn)而減小了單晶爐運(yùn)行的安全隱患。
為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
一種排氣管道,包括位于單晶爐底部部件上方的管路,其中,所述管路為其首尾兩端具有夾角的彎形管路,所述彎形管路的夾角處設(shè)置有可密封的,且能夠防止所述彎形管路內(nèi)的固體雜質(zhì)直接下落至所述彎形管路外部的通氣孔。
優(yōu)選的,上述排氣管道中,所述通氣孔在所述彎形管路的外側(cè)壁形成的開(kāi)口底端與所述通氣孔在所述彎形管路的內(nèi)側(cè)壁形成的開(kāi)口底端位于同一水平線上。
優(yōu)選的,上述排氣管道中,所述通氣孔在所述彎形管路的外側(cè)壁形成的開(kāi)口底端高于所述通氣孔在所述彎形管路的內(nèi)側(cè)壁形成的開(kāi)口底端。
優(yōu)選的,上述排氣管道中,所述彎形管路的首尾兩端的夾角為直角。
優(yōu)選的,上述排氣管道中,所述通氣孔為三個(gè),且設(shè)置在所述彎形管路的夾角處。
優(yōu)選的,上述排氣管道中,三個(gè)所述通氣孔均通過(guò)抱箍與盲堵配合而進(jìn)行密封。
優(yōu)選的,上述排氣管道中,所述彎形管路的首尾兩端均設(shè)置有波紋管。
基于上述提供的排氣管道,本實(shí)用新型還提供了一種單晶爐,其具有上述任意一項(xiàng)所述的排氣管道。
本實(shí)用新型提供的排氣管道中,將原有的位于單晶爐底部部件上方的直管狀的管路改進(jìn)為彎形管路,使其首尾兩端相互之間具有夾角,當(dāng)雜質(zhì)在彎形管路中下落時(shí),其會(huì)掉落至彎形管路夾角處的側(cè)壁上,當(dāng)需要對(duì)排氣管道進(jìn)行清理時(shí),打開(kāi)處于密封狀態(tài)的通氣孔,使外界的空氣能夠進(jìn)入到排氣管道中,而且固體雜質(zhì)無(wú)法從通氣孔中直接掉落,所以在清理的過(guò)程中,固體雜質(zhì)就不會(huì)掉落至位于彎形管路下方的底部部件上,進(jìn)而避免了固體雜質(zhì)對(duì)底部部件的損害,減小甚至避免了單晶爐運(yùn)行過(guò)程中的安全隱患。
此外,由于在彎形管路上設(shè)置了通氣孔,所以在清理的過(guò)程中就無(wú)需再將排氣管道拆開(kāi)以形成通氣開(kāi)口,大大降低了清理排氣管道的復(fù)雜程度,縮短了清理時(shí)間,提高了清理效率,進(jìn)而提高了單晶爐的生產(chǎn)效率。本實(shí)用新型還提供了一種具有上述排氣管道的單晶爐。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于英利能源(中國(guó))有限公司,未經(jīng)英利能源(中國(guó))有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220428524.7/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





