[實用新型]高頻基板結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220428517.7 | 申請日： | 2012-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN202773176U | 公開（公告）日： | 2013-03-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林志銘;洪金賢;林惠峰;李建輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 昆山雅森電子材料科技有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/03 | 分類號： | H05K1/03 |
| 代理公司： | 昆山四方專利事務(wù)所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高頻 板結(jié) | ||
1.一種高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括復(fù)合膜，所述復(fù)合膜由依序相迭合的第一子層、第二子層和第三子層三個子層構(gòu)成，其中，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層三個子層中至少有一個子層為氟系聚合物層；還包括第一金屬層，所述第一金屬層形成于所述第一子層上，且所述第一子層夾置于所述第二子層和所述第一金屬層之間；還包括第二金屬層，所述第二金屬層形成于所述第三子層上，且所述第三子層夾置于所述第二子層與所述第二金屬層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二子層為氟系聚合物層，所述第一子層和所述第三子層皆為聚酰亞胺層。?
3.如權(quán)利要求1所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述氟系聚合物層是四氟乙烯與乙烯的共聚物層、聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物層或聚四氟乙烯層。
4.如權(quán)利要求3所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述氟系聚合物層是聚四氟乙烯層或四氟乙烯與乙烯的共聚物層。
5.如權(quán)利要求1所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一金屬層和所述第二金屬層皆是銅層。
6.如權(quán)利要求1所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述氟系聚合物層的厚度介于?25?至?50?微米之間。
7.如權(quán)利要求1所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度是各自介于?12?至?36?微米之間。
8.如權(quán)利要求2所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一子層和所述第三子層的厚度是各自介于6至25微米之間。
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