[實用新型]一種實現局域壽命控制的IGBT有效
| 申請號： | 201220427314.6 | 申請日： | 2012-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN202839616U | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發明（設計）人： | 吳海平;秦博;肖秀光 | 申請（專利權）人： | 寧波比亞迪半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 315800 浙江省寧*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 實現 局域 壽命 控制 igbt | ||
1.一種實現局域壽命控制的IGBT，其特征在于，包括：
集電區，所述集電區為重摻雜；
在所述集電區之上形成有緩沖層，所述緩沖層為重摻雜，其導電類型與所述集電區的導電類型相反；?
在所述緩沖層之上形成有漂移區，所述漂移區為輕摻雜，其導電類型與所述集電區的導電類型相反；
在所述集電區與所述漂移區之間形成有至少一層低壽命高復合層，所述低壽命高復合層內具有復合中心；
在所述漂移區內形成有阱區，在所述阱區內形成有發射區，所述阱區的導電類型與所述集電區的導電類型相同，所述發射區為重摻雜，其導電類型與所述集電區的導電類型相反；
在所述漂移區之上依次形成有柵介質層、柵極、隔離層和發射極；
在所述集電區之下形成有集電極；
所述漂移區、集電區和緩沖層為單晶硅。
2.如權利要求1所述的實現局域壽命控制的IGBT，其特征在于，所述低壽命高復合層形成在所述集電區與所述緩沖層之間。
3.如權利要求1所述的實現局域壽命控制的IGBT，其特征在于，所述低壽命高復合層形成在所述漂移區與所述緩沖層之間。
4.如權利要求2或3所述的實現局域壽命控制的IGBT，其特征在于，所述低壽命高復合層的厚度為0.03um-0.5um，其內部過剩載流子的壽命為5ns-40ns。
5.如權利要求1所述的實現局域壽命控制的IGBT，其特征在于，所述低壽命高復合層包括第一低壽命高復合層和第二低壽命高復合層，所述第一低壽命高復合層形成在所述漂移區與緩沖層之間，所述第二低壽命高復合層形成在所述集電區與緩沖層之間。
6.如權利要求5所述的實現局域壽命控制的IGBT，其特征在于，所述第一低壽命高復合層的厚度為0.03um-0.5um,?其內部過剩載流子的壽命為5ns-40ns；所述第二低壽命高復合層的厚度為0.03um-0.5um，其內部過剩載流子的壽命為5ns-40ns。
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